TSMC 2纳米与3纳米月产能预计2027年中期环比增长至22%，AI芯片供应在持续需求中扩展。
据报道，台积电（TSMC）正计划大幅扩大其2纳米和3纳米先进制程产能，以满足人工智能（AI）和高性能计算（HPC）芯片需求的激增。据供应链消息人士透露，该公司已首次向合作伙伴供应商通报了其2027年的扩张计划，目标是在2027年中期实现每月11万片晶圆的2纳米产能——相较于2026年底预计的9万片晶圆，增幅约为22%。与此同时，3纳米月产能将从18万片提升至21万片，增幅超过16%。若以2025年底12万至13万片的产量为基准，3纳米产能在18个月内将扩大近70%。这种激进的扩张规模凸显了即便在2纳米进入量产阶段之际，3纳米仍是近期主要的出货驱动力。
为弥合巨大的先进制程产能缺口，台积电正在台湾、美国和日本同步推进生产线建设与改造。市场消息指出，公司计划在台南科学园区新增厂房，其在亚利桑那州和日本的第二座工厂也将纳入3纳米技术。亚利桑那州工厂的3纳米芯片生产目标定于2027年下半年，但若进展顺利，时间表可能会提前。除了新建厂房外，台积电还灵活地将台湾部分场地的5纳米设备转换为3纳米产能。分析师认为，这一转变源于入门级和中端智能手机需求的变化，以及成熟节点订单疲软，促使公司将资源集中于利润率更高的先进制程。目前，台积电在全球有18座工厂正在建设或翻新中，扩张速度呈指数级增长。
在技术路线图方面，台积电先进制程的节奏持续受到业界密切关注。采用纳米片架构和背面供电轨设计的N2系列预计将于2026年第二季度开始贡献营收。集成超级供电轨技术的A16制程则计划于2026年下半年进入量产。与此同时，作为台积电第二代埃米级节点的A14制程在中部和新竹生产基地进展顺利，目标是在2028年第三季度实现量产，并计划随后在2030年左右推进至A10节点。
在需求持续攀升的背景下，台积电已将2026年的资本支出大幅上调至600亿至640亿美元（约合新台币1.9万亿至2万亿元），远高于最初500亿美元的指引。该预算中约70%至80%将用于N3和N2先进制程产能的扩张。在7月的第二季度财报电话会议上，管理层表示，来自主要客户和云服务提供商的订单可见度现已延伸至2029年至2030年。
除晶圆制造外，AI热潮继续推动对台积电先进封装解决方案的需求。CoWoS技术是AI芯片供应链中的关键环节，公司正在评估进一步扩产，产能可能翻倍。供应链数据显示，CoWoS月产能有望从2026年底的约13万片晶圆增至2028年底的26万片晶圆，扩张重点集中在台湾竹南AP7厂和亚利桑那州工厂。
分析报告突显了台积电在技术领先性和良率表现方面的竞争优势，预测其2026年美元收入增长将超过40%。预计2026年税后每股收益为新台币106.46元，2027年可能攀升至新台币139.47元。凭借强劲的长期盈利前景，国内机构投资者维持“买入”评级，目标价为新台币3,200元。
尽管台积电积极扩张，竞争对手也在并行布局。英特尔的EMIB-T封装产能（以12英寸CoWoS等效晶圆计）估计将在2027年从每月1.5万片增长至2万片，并在2028年达到4万至4.5万片。行业消息人士指出，该架构特别适合谷歌和亚马逊对定制AI加速器的需求。此外，据报道，联发科（2454.TW）对英特尔的EMIB封装技术给出了“非常好”的评价，称其良率稳步提升。这一发展加剧了市场猜测，即谷歌可能在TPU芯片生产中采用EMIB技术。尽管如此，台积电在先进封装领域的领先地位在短期内仍难以撼动，特别是随着CoWoS已成为英伟达等AI芯片巨头不可或缺的供应链组成部分。
关于市场传闻，台积电保持了惯有的低调姿态，表示不对猜测发表评论，并强调所有与产能相关的披露均以公司官方公告为准。然而，分发给供应链合作伙伴的扩张通知以及资本支出的大幅上调，表明公司对先进制程中长期需求前景具有高度信心。
| 制程节点 | 2025年底月产能 | 2026年底月产能 | 2027年中期月产能（目标） | 2026年底至2027年中期增长 |
|---|---|---|---|---|
| 2nm | — | 90,000片晶圆 | 110,000片晶圆 | ~22% |
| 3nm | 120,000–130,000片晶圆 | 180,000片晶圆 | 210,000片晶圆 | >16% |
*注：2纳米制程于2026年进入量产；因此，2025年底无产能数据。*
从更宏观的角度来看，AI和高性能计算已成为半导体行业增长的核心驱动力。作为全球领先的先进制程技术供应商，台积电的扩张步伐和技术进步直接影响其运营表现以及全球AI芯片供应链的稳定性。随着2纳米量产爬坡、3纳米产能持续扩大以及CoWoS封装扩张计划的推进，台积电在先进制程技术领域的主导地位有望进一步巩固。