三星先进半导体路线图涵盖平泽、华城、器兴以及美国泰勒的新厂区，良率问题使一笔与 Tesla 相关的 165 亿美元交易复杂化。

三星的代工业务跨越两个国家的四个园区，以位于韩国平泽、华城和吉兴的设施为核心，并新增得克萨斯州泰勒（Taylor）的新基地。该公司于2025年开始量产其第一代2纳米工艺，并于4月将设备搬迁至长期延误的泰勒工厂，同时在2025年7月签署的一份价值165亿美元的合同中获得了特斯拉AI6处理器的订单。尽管取得这些里程碑式的进展，三星代工的营收规模仍约为台积电的十分之一，且先进节点的良率仍在制约其盈利能力。三星在2025年第四季度财报中确认了2纳米工艺的里程碑，该报告也标志着代工部门在HBM4逻辑芯片订单的推动下重新走向盈利。然而，该部门的营收与台积电相比仍约为11:1，且报告的2纳米良率徘徊在55%左右，未达到实现盈利性大规模生产所需的门槛。

三星与台积电的区别不在于制造产能或客户获取，而在于良率表现。由于三星代工部门隶属于设备解决方案（Device Solutions）部门，并由创下利润纪录的内存业务提供补贴，公司得以吸收这一差距带来的财务负担。三星不公布独立的代工损益表，这使得该运营部门拥有纯代工企业所缺乏的多年缓冲期。泰勒项目既是三星路线图的核心，也是其最持久的挑战。整个园区——包括两座晶圆厂、一座先进封装设施和研发中心——估值约为440亿美元，其中超过370亿美元与美国政府资金挂钩。随着项目范围缩小，三星获得的《芯片法案》拨款从最高64亿美元降至最高47.45亿美元，而得克萨斯州去年9月又增加了约2.5亿美元的州级激励措施。建设停滞贯穿2024年并延续至2025年，最初归因于缺乏承诺的客户以及目标节点上的良率问题。在4月举行设备入驻仪式后，该站点现在将安装第三代SF2P+变体的2纳米工艺。试产目标定于2026年底，全面量产计划于2027年进行，产能目标为每月约5万片晶圆启动量。特斯拉的AI6芯片将在通过一份为期八年、至2033年到期的协议下成为该设施的支柱。然而，据报道，由于三星2纳米生产线上的工程运行延迟，AI6设计已推迟六个月，推动量产时间向2027年底推移。

平泽仍是三星最大的生产基地，按P1至P5划分生产线。近期的活动集中在P4，三星加速设备安装，在其1c类DRAM平台上部署HBM4基础芯片生产线；以及在P5，即该站点最后规划的晶圆厂。此前曾暂停建设的P5现因人工智能内存需求激增而推进，据报道投资额近90万亿韩元，目标在2029年实现量产。这一扩张发生在更广泛的资本支出紧缩背景下。在整个2024年和2025年，随着亏损加剧，三星大幅削减代工支出，并审查了暂停平泽和泰勒项目的可能性。代工利用率在2024年下半年跌至约50%，随后随着客户回归而恢复。工艺开发继续在华城的EUV生产线进行，而较新的吉兴NRD-K研究综合体——一项约20万亿韩元的投资，延伸至2030年——则专注于先进节点的研发。三星在华城部署了一台ASML High-NA EUV研究工具Twinscan EXE:5000用于开发目的，并正在采购两台用于大规模生产的EXE:5200系统。这些工具原计划在今年上半年交付，旨在服务于SF1.4节点和下一代DRAM。然而，逻辑侧的计划发生了变化：三星更新的路线图保留使用低数值孔径（Low-NA）工具进行SF1.4工艺，并将High-NA EUV预留用于1纳米世代。随着这些研发基础设施投入生产晶圆厂，其产出将决定三星稳定2纳米工艺并向1.4纳米过渡的速度。

三星的2纳米家族涵盖第一代SF2节点（现已量产）、今年的SF2P推出、前往泰勒的SF2P+变体，以及采用背面供电技术并目标在2027年量产的SF2Z。1.4纳米SF1.4节点最初在2022年Foundry Forum上宣布时计划于2027年量产。根据2026年8月在下一代光刻与图形化会议上展示的更新路线图，该时间表已正式推迟至2029年，承诺公司在进入下一节点之前再花三年时间完善SF2架构。同一场会议提供了三星关于High-NA EUV量产切入点的首次确认：不是在2纳米或1.4纳米，而是在2030年左右的1纳米级SF1A节点。“我们认为，从A10及以下节点开始，High-NA EUV将成为必需品，”三星电子技术首席副总裁Chang Min Park告诉与会者，他指出该工具需要进一步改进才能支持较大节点的量产。SF1A将与SF1.4+同时推出，后者是一种增强型1.4纳米变体，保留了经过验证的低数值孔径工艺，为担心High-NA曝光场较小和成本较高的客户提供熟悉的替代方案。最终，路线图取决于良率，三星面临着同样的现实。虽然第一代2纳米良率在2025年全年有所攀升，但截至4月仍接近55%，低于实现盈利性大规模产出所需的水平。据报道，因此高通可能会将工作转向台积电。这些数据代表行业估算而非官方披露，但它们一致表明，良率——而非产能或客户需求——是三星的主要瓶颈。为了保持竞争力，三星大幅打折定价，将2纳米晶圆成本降至约2万美元，比台积电低约33%。虽然这种折扣吸引了对价格敏感的客户，但它严重压缩了已经在盈亏平衡点以下运行的节点的利润率。在没有外部支持的情况下，资助这种低价竞争和良率滞后的组合是不可持续的，这也解释了为何该部门的亏损决定了其复苏步伐。

三星2纳米的锚定客户是其自身的移动部门。基于SF2制造的Exynos 2600是该节点的首款商业产品，为标准版Galaxy S26和S26+机型提供动力。然而，Galaxy S26 Ultra在全球范围内使用高通的Snapdragon SoC，且由于良率限制，Exynos芯片仅占S26产量的估计四分之一到三分之一。一款名为Exynos 2700、基于SF2P构建的继任者正在为Galaxy S27开发中，目标在今下半年量产。利用内部处理器在争取外部客户之前验证节点，反映了三星在3纳米过渡期间的策略。外部2纳米客户仍然有限。日本人工智能公司Preferred Networks是最清晰的早期采用者，确认为AI加速器上结合2.5D封装的SF2交钥匙客户。特斯拉的AI6代表了最显著的外部承诺，此外还有未经证实的报道称北美无晶圆厂设计公司AMD订购了2纳米CPU，以及与高通就未来Snapdragon设计进行的处于高级阶段的讨论。三星最强的竞争优势在于内存而非逻辑。该公司于2月出货了业界首款商用HBM4，每引脚速度为11.7 Gbps，高于JEDEC标准的8 Gbps，速度可扩展至13 Gbps，每堆栈带宽高达3.3 TB/s。支撑这些堆栈的逻辑基础芯片由三星专有的4纳米代工工艺制造，使公司能够内部采购基础芯片，而不是像几位竞争对手那样从台积电购买，并利用这种垂直整合来加强其代工竞争力。