尽管美国出口管制收紧，三星和SK海力士仍向其在华老旧工厂注入新资金。

尽管华盛顿对北京实施了多层面的半导体限制——始于2022年拜登政府时期的出口管制——但三星电子和SK海力士在中国芯片工厂的战略重要性却日益凸显。在人工智能驱动的存储芯片热潮中，即使是在中国制造的相对较老一代的存储芯片也面临着强劲的需求和健康利润率。因此，自2025年以来，这两家韩国巨头增加了其在中国业务的产能和投资，扩大了NAND生产，并保持中国在其整体内存产量中的份额与限制前水平基本一致。

“我们在中国的生产占比基本保持不变，我们没有计划缩减那里的业务，”SK海力士的一位高管告诉《韩国中央日报》。这些设施对全球供应链依然至关重要：三星西安工厂占该公司总NAND闪存产量的40%。对于SK海力士而言，其无锡工厂处理总DRAM产量的40%，而大连工厂则管理总NAND产量的30%。

资本承诺反映了这一战略优先级。2025年，三星对其西安设施的股权投资同比激增68%，达到4654亿韩元（约合3.34亿美元），这笔资金用于生产线升级，此前该厂在2020年至2023年间曾暂停多年。SK海力士的支出更为庞大，其在无锡DRAM和大连NAND工厂的总投资超过1万亿韩元。在无锡，投资额达到5810亿韩元，较2024年的2873亿韩元增长了102%；而大连获得了4406亿韩元，增幅为52%。

虽然这些公司正在加速在韩国国内建设芯片工厂以满足激增的需求，但供应的大幅增加不会立即实现。在7月的一次电话会议上，三星预计有意义的晶圆产能增加要到2028年之前不会出现，这一前景也得到了多位分析师的印证。与此同时，它们的中国业务——尽管仅限于传统存储工艺——已变得与其高带宽内存（HBM）生产线同样具有战略重要性。传统DRAM和NAND的价格实际上比HBM价格攀升得更陡峭，促使一些制造商将韩国生产线重新转向传统DRAM，以获取更高的盈利能力。

扩张仍在实地进行。据报道，随着设备今年到位，SK海力士的第二座大连工厂将于明年开始生产。新产线每月将增加4万至6万片晶圆的产能，使该厂的整体产能提高50%。“由于AI数据中心的快速扩张导致企业级固态硬盘需求激增，NAND闪存供应必须跟上，这就是该公司迅速在那里扩大供应的原因，”一位知情人士称。

此次扩产的背景是美国出口管制的收紧。美国商务部此前授予三星和SK海力士中国工厂“验证最终用户”（VEU）地位，允许其免许可证进口某些受控的美国芯片设备。然而，华盛顿在2025年撤销了这一地位，迫使韩国制造商为相关机械申请年度许可证。他们的中国工厂仍然严重依赖来自应用材料（Applied Materials）和泛林集团（Lam Research）等美国供应商的刻蚀工具。据路透社报道，为避免触发美国出口禁令，三星和SK海力士据报道花费了两年时间测试中国国产工具，以便在其中国业务中使用。由于这些设施运行的是传统工艺而非精密的HBM制造，因此设备不需要相同的极端公差要求。

这种采用将代表中国工具制造商的一个重大里程碑，可能推动中国向技术自给自足迈进。然而，三星和SK海力士均否认了路透社的报道，坚持认为他们没有进行任何违反美国法规的测试。