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台积电扩大先进 AI 芯片封装 (CoWoS) 环节对第三方供应商的外包,缓解持久瓶颈。

降低TSMC对H200/B200/GB200产能爬坡的封装瓶颈;加快AI芯片交付速度。
行业媒体Slicast · 2026年8月4日 UTC 09:35 · 美国 · 来源: finance.biggo.com
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湾积电(TSMC)正在扩大对人工智能芯片生产中关键步骤的外包,这一战略举措旨在缓解持续存在的制造瓶颈,该瓶颈一直制约了AI加速器的供应。

根据业界人士,台积电已决定将其先进的CoWoS工艺中的CoW(芯片集成)封装阶段的更多产能委托给外包半导体组装和测试(OSAT)供应商,包括日月光半导体。作为回应,主要OSAT公司正在下达设备订单以建立新的生产线,据报道与韩国材料、零部件和设备供应商进行了采购订单讨论。虽然投资规模尚未披露,但预计将大幅提升现有生产能力。

CoWoS是台积电专有的2.5D封装技术,对AI芯片制造至关重要。该工艺将处理器(如图形处理器GPU)放置在中心,并用高带宽内存(HBM)环绕,使用中介层作为连接它们的桥梁。台积电将芯片与中介层接合的步骤称为CoW,而中介层与主基板的连接称为WoS(晶圆级基板)。历史上,台积电已将大部分WoS阶段外包,向包括日月光、Amkor和SPIL等合作伙伴许可该技术。虽然之前已将一些CoW工作外包,但规模有限。这次扩展标志着一个重大的战略转变。

这一决定反映了对AI芯片需求的持续增长。以NVIDIA领导,全球无晶圆厂芯片设计公司和AI数据中心运营商越来越多地开发和部署自己的芯片,产生了台积电内部产能单独无法满足的需求。该公司据估计控制着全球AI芯片制造市场的约90%。

一位业界人士表示:"台积电继续对AI芯片制造的封装设备进行投资,但据指出封装阶段仍存在瓶颈。这种外包的扩展是与关键OSAT合作伙伴一起增加生产能力的尝试,因为市场需求持续增长。"

增加的OSAT投资预计将惠及后端设备供应链,特别关注晶圆和中介层切割和键合工艺。多个韩国设备行业消息来源表明,CoW相关设备的供应讨论已在激光加工和键合领域进行。

随着台积电加速其最先进工艺的产能爬坡,此次扩展应运而生。该公司有望到2026年底达到2纳米工艺月产100,000片晶圆的目标,由包括NVIDIA、AMD和Broadcom等客户的需求推动。台积电3纳米产量预计将提前达到2026年第四季度目标的每月180,000片晶圆。2纳米工艺贡献了该公司2026年第三季度收入的3%,与同一阶段的3纳米相比,流片次数增加了四倍。

CoW外包扩展代表了一种战略认可,即封装阶段(不仅仅是先进工艺)是AI芯片供应的关键瓶颈。通过利用OSAT合作伙伴的产能,台积电旨在比单独行动更快地增加总体产量。对于OSAT供应商而言,这代表了重大的增长机会,因为他们承担了更大比例的高价值封装工作。这一举措表明AI需求仍然足够强劲,足以在整个供应链中证明大规模资本支出的合理性,对半导体设备制造商和材料供应商具有积极影响。

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