长鑫存储 (CXMT) 的 DRAM 晶圆每平方毫米成本比台积电 N2 工艺高 54%，尽管其晶圆厂工艺流程更简单。

这见证了当代AI基础设施建设狂潮的疯狂程度——1b DRAM如今每平方毫米的成本竟然高于台积电N2工艺晶圆，尽管其制造工艺要简单得多。

1b DRAM每平方毫米的成本为0.654美元，而台积电N2晶圆每平方毫米的成本为0.424美元。

根据芯片洞察公司(Kernel Insight)的报告（据ZDNet引用），台积电300毫米N3（3纳米）晶圆的价格约为20,000美元，同尺寸的N2晶圆约为30,000美元。这相当于N3每平方毫米0.283美元，N2为0.424美元。

1b DRAM的比特密度为每平方毫米0.436 Gb。按参考价格每Gb 1.50美元计算，这相当于每平方毫米约0.654美元的成本，比台积电N2晶圆贵约54%。

9月21日，DRAM现货交易所公布了16 Gb DDR5 eTT的价格为24.80美元，相当于每Gb约1.55美元。实际上，每Gb 1.50美元的参考价格是一个恰当的估算。

甚至是多个世代前的1z DRAM，在单位面积成本基础上也几乎与台积电最先进工艺相当，因为其比特密度为每平方毫米0.273 Gb，相当于每平方毫米约0.410美元的参考成本。

更为关键的是，DDR5的制造工艺远比台积电N2工艺同尺寸硅晶圆要简单。然而，这正好印证了商用DRAM持续严重短缺的现实——1b DDR5目前的价格相比台积电最先进工艺晶圆溢价约50%。

这种定价格局预计在短期内不会恢复正常，尤其是考虑到三星的B1b工艺——其首款亚10纳米DRAM制造工艺，正式更名为D0a——在分离的晶圆上分别制造存储单元和周边驱动电路，随后通过晶圆级混合键合技术将其连接，将存储单元堆叠在周边电路之上。由于混合键合成本相当高昂，三星很可能会为下一代DRAM产品定出令人咋舌的高价格。