SK海力士正在为Nvidia的Rubin GPU架构供应16层HBM4内存模块,标志着下一代加速器的生产就绪。

三家公司可以制造Nvidia最新人工智能处理器所需的先进内存。据报，其中仅有一家已经达到最密集配置的量产。

根据硅谷分析师(Silicon Analysts)最新供应链追踪数据，SK海力士正在为Nvidia Vera Rubin平台装运48GB、16层HBM4设备——这超越了该公司之前的公开声明。SK海力士、三星电子和美光科技之间的AI内存竞争因此已超越HBM4认证阶段。新的竞争焦点转向每家供应商能以多快速度在商业规模上制造密度日益提高的内存堆栈。

**为何16层HBM4很关键**

HBM(高带宽内存)是指与处理器垂直堆叠的DRAM，使AI加速器能以足够快的速度接收数据，保持计算核心持续工作。每增加一层都会增加堆栈的容量。相比12层版本的36GB，16层配置可容纳48GB——每个内存位置的容量增加了33%。

在相同物理占地面积内增加四层需要更薄的芯片和更紧密的层间间距，使16层产品成为该代中最具挑战的步骤。硅谷分析师称SK海力士在第三季度开始批量生产48GB、16层HBM4。将更多内存直接放置在处理器旁边可降低数据传输延迟，使AI系统能运行更大规模的模型，而无需额外的内存封装。

硅谷分析师称SK海力士的举措为"本周最强劲的供应链信号"。这一装运能力展示了竞争对手无法一夜之间复制的能力：规模化制造良率。堆叠16层内存芯片增加了生产复杂性；每一层都必须可靠通信，同时保持在严格的功率、散热和物理尺寸限制内。这一里程碑"巩固了SK海力士的先发优势"。

相比之下，美光自3月以来一直大规模生产用于Nvidia Rubin的12层HBM4，并已向客户装运48GB 16层样品，但尚未宣布该更高配置的量产。三星电子于2月开始批量生产HBM4。其HBM3E 12层产品在9月14日当周通过了Nvidia认证，其HBM4 12层堆栈仍在最终认证阶段。三星在2025年第四季度财报电话会议上向投资者表示，客户对16层产品的需求有限，商业化不必要，但注称如果需求改变，公司拥有相应技术。

**封装是制约因素**

内存已不再是构建AI系统最慢的组件。硅谷分析师估计，台积电(TSMC) CoWoS先进封装的交货期已延伸至52-78周。CoWoS(晶圆上芯片-基板上晶圆)是台积电的先进封装技术，用于在单一成品AI芯片封装内连接Nvidia处理器与其高带宽内存。

没有充足的封装产能，额外的处理器和内存无法成为成品AI加速器。如硅谷分析师所指，"封装而非硅是制约因素"。不存在CoWoS的商业替代方案。产能预计到2026年底将上升至月均120,000至130,000片晶圆，2027年为141,000至170,000片，但TrendForce估计今年供应缺口约为20%。

美光将在9月30日发布第四财年第四季度业绩，提供关于HBM价格和产量的下一次可验证更新。