Micron推出先进的512GB DDR5 RDIMM模块,速度可达9,200 MT/s,为下一代数据中心提供更高带宽内存。

美光科技(Micron Technology)宣布成功演示全球首款512GB DDR5 RDIMM(注册式DRAM模块),这一里程碑进一步巩固了其在高容量服务器内存领域的领先地位。该模块提供高达9200 MT/s的速率,相比使用四个128GB RDIMM,运行功耗降低60%以上,使企业数据中心和云服务商能够以更高效率支持要求苛刻的AI、分析、内存数据库和仿真工作负载。

这一创记录的容量通过美光先进的垂直互连封装创新实现。该技术将DRAM芯片堆叠起来,通过硅通孔(TSV)将其互连,在最大化单个DRAM封装密度的同时保持现代数据中心架构所需的性能。单个24槽位双socket服务器现在最多可容纳12TB的DDR5 DRAM。

美光云内存业务部门高级副总裁兼总经理Raj Narasimhan表示:"美光继续引领内存技术发展,推出了新一代超高密度、高性能服务器内存,帮助客户将更大的数据集保持在距离计算引擎更近的位置。512GB RDIMM支持多TB级服务器,可支持更大的AI和数据库工作负载、更高的虚拟化密度和更好的功耗效率,而无需改变现有服务器形尺寸。"

AMD和Intel正在为下一代服务器平台积极验证该模块。AMD计算和企业AI平台解决方案工程公司副总裁Amit Goel表示:"随着AI和数据密集型工作负载重塑基础设施需求,AMD解决方案继续推进数据中心性能、可扩展性和效率。我们与美光的紧密工程合作将计算和内存创新结合在一起,帮助客户充分发挥AMD平台的价值。"

Intel数据中心事业部平台和系统工程总经理Karin Eibschitz Segal补充道:"AI和其他数据密集型工作负载的激增对服务器基础设施提出了新的要求,使内存容量和带宽对整体系统性能变得越来越重要。Intel正与美光紧密合作,验证其512GB DDR5 RDIMM,并帮助支持为应对下一代数据中心工作负载日益增长的需求而设计的未来服务器平台。"

大型语言模型、代理AI、实时推理和高核数CPU工作负载的激增正在推动对更大服务器内存容量、更高带宽和更好功耗效率的需求。512GB RDIMM通过使更大的数据集保持在主内存中来满足这些需求,减少对较低存储层的依赖,并最小化成本高昂的数据移动。对于内存受限的工作负载(如基于Spark的支持向量机数据分析),与256GB DDR5配置相比,512GB RDIMM的性能可提升最多1.4倍。该模块还为内存密集型数据库和缓存平台(包括RocksDB和Redis)提供显著优势,提高吞吐量、增加并发性,并支持更高效的数据集扩展。

美光预期512GB RDIMM将于2027年下半年进入量产,与客户需求相适应。