SK Hynix宣布投资380亿美元建设新型DRAM和NAND晶圆厂，专注于AI内存容量和HBM生产。

SK海力士宣布计划投资54万亿韩元（38亿美元）扩建其在韩国的芯片制造设施，投资分别用于龙仁新建DRAM制造厂和清州NAND制造厂。根据彭博社报道，计划支出的约三分之二将用于DRAM项目。该扩建旨在通过加强用于低延迟计算的高速DRAM和用于高容量快速存取存储的NAND闪存的生产，来满足快速增长的AI驱动内存需求。

新的龙仁Y2设施将是龙仁半导体集群计划中四个晶圆厂中的第二座。SK海力士计划于2027年7月开始建设该项目。这一宣布发布于SK集团和三星电子与韩国政府承诺投资880亿美元建设韩国本土制造和AI能力数周之后，韩国目标在五年内将内存生产能力翻倍。

该宣布获得了市场的混合反应。SK海力士在美国上市的股票在周五盘前交易中下跌近0.2%，而在首尔交易的股票同日收盘下跌4.9%。该公司表示将在第三季度详细说明股东回报计划，并据彭博社报道，"积极评审额外的股东回报举措，作为其持续提升股东价值承诺的一部分"。在Stocktwits上，SKHY的散户情绪在周五保持"看跌"。

SK海力士强劲的运营表现彰显了对其产品的需求。第二季度，收入同比增长257%，环比增长51%，达到79.32万亿韩元（64.64亿美元），营业利润飙升557%至60.54万亿韩元，超过华尔街分析师根据LSEG估计预期的84万亿韩元收入和64万亿韩元营业利润。公司上半年收入首次突破100万亿韩元，凸显了强劲的AI驱动需求。SK海力士销售用于数据中心和消费类电子产品的内存芯片和其他硬件，英伟达等美国科技巨头是其客户。该公司于2026年7月10日完成纳斯达克上市，融资26.5亿美元。