SK Hynix 宣布在韩国投资 38 亿美元建设新 AI 芯片制造工厂。

SK海力士在人工智能热潮中进行了迄今最大的赌注之一，宣布计划投资54万亿韩元（约381亿美元）来扩大其内存芯片制造产能。这家韩国半导体巨头表示，将建造两座致力于下一代存储器产品的新晶圆厂，巩固其作为为AI数据中心和高性能计算系统供应芯片的领先供应商的长期战略。

该投资包括用于龙仁Y2晶圆厂的35.2万亿韩元和用于清州M17设施的19.1万亿韩元。这些项目合计旨在增加动态随机存取存储器（DRAM）和NAND闪存的产量——这两项产品已成为AI行业的关键组件。

对高带宽存储器（HBM）的激增需求在整个半导体行业中造成了供应短缺。HBM芯片对英伟达等公司生产的AI加速器至关重要，能够为大语言模型、云计算和先进AI应用提供更快的数据处理和更好的性能。这种需求在过去一年推动了存储芯片价格的急剧上升，使行业最大的制造商受益。投资者通过强劲的股价涨幅奖励了SK海力士、三星电子和美光科技等领先供应商，押注供应紧张的状况将在未来数年内持续。

尽管SK海力士在HBM技术领域处于领先地位，但在更广泛的存储器市场中面临日益增加的竞争。根据Counterpoint Research的数据，三星在第二季度重新获得全球DRAM市场份额的首位，加大了对其国内竞争对手扩大产能的压力。

Counterpoint Research研究副总裁兼联合创始人Neil Shah表示，这笔新投资旨在保护SK海力士的长期制造足迹，而不是立即提升产量。"这促使SK海力士注入新的资本支出以扩大其足迹。从近期来看，这不会改变SK海力士的产出，但这是为2029年及以后做出的准备，"Shah向CNBC表示。他补充说，整个行业范围内的投资扩张不太可能在短期内缓解定价压力。

龙仁Y2设施代表了公司龙仁半导体集群规划的四座晶圆厂中的第二座，这是一个主要制造枢纽，旨在成为SK海力士未来存储器生产的支柱。建设定于2027年7月开始，第一个洁净室预计在2029年6月开放。该厂将生产HBM以及其他先进的DRAM产品。洁净室是高度受控的制造环境，在半导体生产过程中最大化地减少污染，这对于生产日益复杂的存储芯片至关重要。

清州M17设施将专注于NAND闪存，这是另一个需求上升的领域，因为AI工作负载需要更大的存储容量。奠基仪式定于2027年2月，第一个洁净室预计在2028年12月开始运营。SK海力士表示，这笔投资反映了AI采用的快速步伐，以及确保充足生产产能以应对未来客户需求的必要性。

新的支出代表了SK海力士去年公布的更广泛扩张战略的下一阶段。根据该长期计划，公司打算在发展龙仁半导体集群中投资600万亿韩元，并投资100万亿韩元来扩展其在清州的生产基地。