SK Hynix 宣布54万亿韩元（约$40B）AI芯片制造计划。

SK海力士正在通过投资54万亿韩元（38亿美元）来加速其AI基础设施能力，以扩大内存芯片生产。这家韩国制造商计划建造两家致力于高带宽内存（HBM）半导体制造的工厂。

该公告反映了SK海力士创纪录的收益，凸显了对AI内存芯片的持续需求。公司报告收入79.3万亿韩元，净利润60.5万亿韩元，由HBM销售增加驱动。SK海力士已开始向客户供应其新的HBM4内存芯片。

HBM已成为现代AI硬件架构的必需品。通过先进的封装技术，多个HBM堆栈可以与处理器并行部署，使数据吞吐量和系统性能得以提高。

尽管制造商增加了AI芯片产出，但内存可用性仍然受限。根据行业研究公司Omdia的数据，内存产品预计到2026年将产生超过半数的总半导体制造商收入，由对DRAM和NAND不断增长的需求驱动。

作为NVIDIA的主要HBM供应商，SK海力士在AI基础设施供应中起着关键作用。此次投资紧随NVIDIA首席执行官黄仁勋与SK集团最近达成的500亿美元合作伙伴关系。

SK海力士将投入35.2万亿韩元用于位于龙仁的Y2 DRAM生产设施，并投入19.1万亿韩元来建造位于清州的M17 NAND闪存设施。这些投资是公司更广泛产能扩张战略的一部分。

两家工厂都需要数年时间才能达到满负荷运营。Y2 DRAM工厂的建设计划于2027年7月开始，洁净室完成目标为2029年6月。M17 NAND设施的建设将于2027年2月开始，预计于2028年12月完成。

根据Counterpoint Research的数据，SK海力士在2026年第一季度占据了全球HBM收入的58%。SK海力士预测未来十年AI需求将继续增长。与Omdia的预测相一致，公司预期全球DRAM和NAND需求将以19%的复合年增长率扩展至2030年。