尽管提供六位数薪资，但仅3%的工程毕业生投身芯片制造，导致US半导体晶圆厂面临预计157,000人的劳动力短缺。

尽管芯片制造商正加速在美国境内制造最先进半导体，但专家警告称，其扩张面临着一项巨大的障碍：缺乏操作晶圆厂和工厂的熟练工人。据 CNBC 报道，全球咨询公司麦肯锡（McKinsey）与 SEMI 基金会预测，到 2030 年，高达 157,000 个行业职位可能空缺。

三星半导体部门执行副总裁 Jon Taylor 在接受 CNBC 采访时说：“我很担心。”“我们只是看不到管道中有足够的技术人员。”麦肯锡的报告指出，只有 3% 的美国工程毕业生进入半导体行业，而 73% 的芯片制造商报告称难以填补工程岗位。这种人才短缺与更广泛的技术领域形成鲜明对比，后者在今年 6 月之前经历了创纪录的裁员，解雇了超过 40,000 个职位，表面上主要是由与人工智能相关的重组驱动的。

受人工智能热潮推动的对内存和存储芯片的需求激增，加上华盛顿方面推动半导体制造业回流美国，引发了一波新设施建设浪潮。台积电（TSMC）于 2021 年在亚利桑那州校园破土动工，引领了这一扩张。该场地去年开始生产芯片，并在 2026 年 7 月承诺额外投资 1000 亿美元建设四座 2 纳米晶圆厂。与此同时，英特尔（Intel）的俄亥俄 One 设施曾计划成为美国最大的晶圆厂综合体，目前仍在建设中，预计将于 2030 年至 2031 年间开始生产。

三大内存制造商——美光（Micron）、三星（Samsung）和海力士（SK hynix）——也在执行重大的美国扩张计划。三星正在推进美国半导体生产，其位于德克萨斯州泰勒市（Taylor, Texas）的晶圆厂今年进入风险生产阶段。该设施目标为每月启动 50,000 片晶圆，预计将创造 3,500 个工作岗位。Taylor 告诉该媒体：“我们在招聘工程师，我们在招聘技术人员，我们在招聘供应链中的人员。”“每个人都想要且需要同样的东西，而现在一切开始上线，这有点像是在与时间赛跑。”与此同时，美光继续在其爱达荷州博伊西（Boise）建设内存芯片晶圆厂，该厂于 2022 年破土动工，计划于 2027 年开始晶圆生产。该公司还正式为其价值 1000 亿美元的纽约“超级晶圆厂”破土动工，目标是到 2040 年代在美国生产其全球产量的 40%。此外，美光承诺投入 100 亿美元用于在博伊西全球研发中心附近建造新的美国研究实验室。

海力士同样启动了其首座美国高带宽内存（HBM）工厂的建设，将其位于印第安纳州韦斯特拉斐特（West Lafayette）的校园专门用于为 AI 数据中心封装这些关键组件。行业报告显示，这家韩国制造商也在探索与英特尔的合作选项，可能租赁俄亥俄 One 工厂的空间，或与其他 AI 超大规模用户成立合资企业以在国内生产内存芯片。为了支持这一工业热潮，普渡大学（Purdue University）和亚利桑那州立大学（Arizona State University）等当地机构正在投资数百万美元以培养有能力的工作队伍，普渡大学已于 2022 年推出专门的半导体学位课程。三星和英特尔也通过实习和奖学金计划进一步加强招聘，以确保未来的人才。

尽管做出了这些努力，但根据 SEMI 基金会的说法，薪酬仍然是一个重大障碍。美国芯片晶圆厂通常提供的薪资范围为 127,000 至 187,000 美元，高级人员年薪为 238,000 美元或以上。虽然在国内具有高度竞争力，但这些数字与三星和海力士在韩国最近提供的奖金包相比显得微不足道，后者已达到数十万美元。鉴于预计的劳动力短缺，美国半导体公司可能需要使其薪酬方案与其亚洲同行持平，以吸引和留住必要的人才。