Samsung 推出 zHBM 堆叠内存架构，性能比 HBM5 提升 8 倍，在 Flash Memory Summit 2026 发布

在SK海力士最近与SanDisk联合推出HBF（高带宽闪存）标准之际，三星准备在FMS 2026展示其3D内存和存储路线图，重点推介zHBM和Z-NAND等技术，旨在缓解AI系统的瓶颈。在FMS（未来内存与存储）2026大会上——这是全球最大的内存和存储会议，会期为8月4日至6日——三星的zHBM预计将成为焦点，作为去年z-NAND的继任者。

三星采用zHBM的下一代接口系统预计将提供约为HBM5性能8倍的表现。利用下一代晶圆键合技术，zHBM可以实现比HBM5高超过10倍的内存密度，同时将能效提升三倍，将热阻降低超过50%。不同于传统平面设计，zHBM旨在通过利用多晶圆对晶圆键合技术实现完全的3D堆叠架构，可支持数万个I/O连接。根据三星电子首席技术官宋在旭的说法，该技术将HBM垂直堆叠在GPU顶部，取代传统的并排布局，以最小化数据传输距离，同时显著提升带宽和功率效率。

zHBM的概念首次在2月的韩国SEMICON展会上公布。三星的zHBM是一种未来内存架构，设计用于接替HBM4，相比下一代HBM方案具有超过4倍的更高带宽和75%的更低功耗。

在NAND领域，Z-NAND正在成为三星关键的下一代战略产品。由于存储在SSD上的数据必须先通过CPU和DRAM才能被GPU访问，产生了延迟瓶颈，Z-NAND的设计目的是通过最小化延迟和提升I/O性能来解决这一限制。三星在2025年重振了Z-NAND的雄心，该公司内存事业部执行副总裁表示，目标是利用Z-NAND实现高达15倍的性能提升，同时相比传统NAND闪存芯片减少高达80%的功耗。

然而，商业化挑战仍然存在。三星的Z-NAND之前因其超低延迟和高耐久性而受到关注，但其基于SLC的架构带来了结构性挑战，包括每GB成本更高和存储密度更低，限制了更广泛的应用。Z-NAND可以提供超低延迟和接近DRAM级别的读取速度，但商业化将取决于克服一个关键障碍：成本预计为传统TLC NAND的3至4倍。