三星和SK海力士在FMS 2026发布zHBM和HBF（Hybrid Buffer Framework）存储器；HBF达到512GB、带宽达3TB/s，缩小HBM到SSD的性能差距。

在加州圣克拉拉会议中心举行的FMS 2026大会上（8月4日），这个记忆芯片行业的顶级盛会吸引了超过2000名与会者参加主旨演讲。韩国主导的芯片制造商三星电子和SK海力士展示了解决同一新兴挑战的竞争策略：在代理AI时代解决内存瓶颈问题。

随着AI系统从生成式模型发展到能够自主规划和执行任务的代理AI，需要处理的令牌和上下文数据的数量激增。这一转变使内存——其容量、带宽和数据传输时的功耗——成为关键制约因素，现已超越图形处理器（GPU）自身的计算性能极限。

三星电子展示了zHBM，这是一种下一代3D架构，突破了将高带宽内存（HBM）放置在AI加速器旁边的传统做法。相反，zHBM直接将内存堆叠在AI芯片上，大幅缩短数据传输距离。根据三星的说法，与HBM5相比，这种方法的每块GPU性能提高了8倍，功耗效率提高了3倍。三星电子DRAM开发实验室执行副总裁Kim Kyung-ryun表示："代理AI正在将性能要求推向极限。三星已准备好为每个客户的需求和架构开发定制化的zHBM解决方案。"

三星还推出了zNAND-O，这是一种中层内存解决方案，容量大于DRAM，数据传输速度快于传统NAND，能够快速访问必要的信息，无需将所有数据存储在昂贵的高带宽内存中。该公司还展示了业界首款第十代V-NAND——V10 BV-NAND，垂直堆叠超过400层。通过将存储单元和外围电路分离到不同晶圆上，然后再将它们组合在一起，该技术实现了更高的密度和性能改善。

SK海力士提出了一种替代策略：分层内存架构，根据AI数据的重要性和使用频率，将数据分布在HBM到固态硬盘（SSD）之间，从而提高整体系统效率。与SanDisk合作，SK海力士推出了首个高带宽闪存（HBF）标准规格，这是一种基于NAND的技术，可补充容量受限的HBM。HBF规格支持8层或16层NAND堆叠，能够存储高达512GB的数据，数据传输速度达到每秒3TB，同时实现通用连接标准，可灵活集成多个制造商的AI芯片。

FMS大会自其作为闪存峰会（Flash Memory Summit）的起源以来已发生了重大转变，传统上专注于存储解决方案。2024年扩展后，该大会涵盖了DRAM、HBM和CXL内存技术以及存储技术，已成为下一代AI产业方向的晴雨表，这一轨迹与英伟达GTC大会相似，后者从一个利基游戏活动演变为全球瞩目的AI展览。三星电子和SK海力士的展览馆在整个活动期间都吸引了持续的观众，反映了内存芯片市场作为AI产业核心轴线的出现。