三星和SK海力士在2026年AI芯片利润创纪录后承诺增加股东回报。

韩国两大芯片制造商三星电子和SK海力士正准备大幅提高股东回报，这标志着在人工智能热潮推动下创造创纪录季度利润后，资本分配进入了新阶段。这些公告是在周三分别向路透社提交的声明中宣布的，发布时间距离两家公司发布最强财务业绩仅几天。这些业绩受到人工智能数据中心对高带宽存储芯片的旺盛需求的推动。三星电子表示正在探索以"可持续方式"增加股东回报的方式，而SK海力士承诺在年底前制定具体计划，以"显著扩大"资本回报。

这一改善股东支付的承诺标志着这两家科技巨头的一个显著战略转变，这些公司历来优先考虑激进的资本支出，而不是直接的股东回报。时机与韩国监管机构为改善公司治理和解决所谓"韩国折扣"而进行的更广泛推动相一致——韩国股票相对于全球同行的持续低估。

鉴于SK海力士在人工智能存储领域的飙升，其承诺有意义的资本回报扩张尤为引人注目。截至2025年第二季度，这家芯片制造商已建立了62%的高带宽存储市场份额的主导地位，远超美光科技的21%和三星的17%。SK海力士在为英伟达供应先进HBM芯片方面的早期主导地位一直是其财务表现的关键驱动力。

三星虽然在HBM市场份额上落后，但一直在积极缩小差距。该公司在2025年9月获得了英伟达对其12层HBM3E芯片的认证，将其定位为英伟达的第三家HBM供应商，并预期开始向这家人工智能芯片领导者供应有限的产量——这一发展可能会大幅缩小市场份额的差距。

三星的股东回报承诺与一项雄心勃勃的新存储硬件路线图相一致，该路线图旨在挑战SK海力士的主导地位。这一愿景的中心是zHBM，一个将高带宽存储直接垂直堆叠在人工智能加速器顶部的新系统。根据三星的说法，该架构提供了下一代HBM5性能的约8倍。使用先进的晶圆键合技术，zHBM将实现HBM5存储密度的10倍以上，同时允许根据特定客户需求定制的设计。

三星打算在2026年下半年加快HBM4的生产，尽管它还没有为HBM5或zHBM技术提供明确的时间表。该公司还推出了zNAND-O，一个基于其V-NAND技术的下一代NAND解决方案，旨在更好地支持实时、数据密集型人工智能应用。

对于存储市场最重要的是三星推出业界首个V10 BV-NAND架构。V10 BV-NAND采用新型晶圆键合设计，具有超过400层，与上一代相比，存储密度增加了近60%，同时改进了读取和写入速度。三星还展示了包括下一代处理内存芯片和高容量企业存储解决方案的产品路线图，强调了其成为全面人工智能基础设施提供商的野心。

半导体存储市场预计在2026年达到约1900亿美元，为三大主导企业创造了巨大的可寻址市场。竞争强度反映在最近的交易活动中。8月3日，SK海力士和三星股票双双暴跌——SK海力士下跌8.79%，三星下跌8.76%——因为投资者在戏剧性涨幅后获利了结。7月31日，SK海力士触及涨幅限制，而三星上涨超过26%，引发获利了结。到8月4日，股票显示出稳定的迹象，SK海力士交易价格为159万韩元，上涨1.34%，三星小幅上升0.21%至24万韩元。

增加竞争压力的是，中国长鑫存储技术据报道已完成其下一代LPDDR6移动DRAM的测试，并正准备在今年内进行大规模生产。这家中国芯片制造商据报道也在考虑建设第二家存储半导体生产设施，这表明其挑战现有秩序的雄心。

对于SK海力士来说，扩大资本回报的承诺代表了一个潜在的估值重新评估催化剂，特别是鉴于其在HBM市场的主导地位和与英伟达供应关系的可见性。三星同时在技术和股东回报方面的推进反映了公司在解决HBM市场表现不佳的同时应对治理改革压力所面临的压力。其zHBM架构和V10 BV-NAND技术的成功可能决定三星是否能够夺回技术领导地位，尽管缺乏明确的生产时间表引入了执行风险。尽管人工智能推动了结构性增长，更广泛的存储市场仍然高度周期性，但可寻址市场的巨大规模——到2034年接近5000亿美元——表明如果执行与抱负相匹配，多个赢家有充分的回旋余地。