Samsung推出为AI工作负载设计的先进3D HBM和闪存技术，与SK海力士和美光竞争。

在圣克拉拉举行的2026年存储和内存未来（FMS）会议上，三星推出了三项下一代内存技术，旨在解决AI数据中心日益增长的带宽和存储需求。

三星是一家韩国大型企业集团，拥有包括CMOS图像传感器、逻辑器件和内存产品在内的半导体业务，是全球最大的内存供应商。该公司还运营一家代工部门，与TSMC和英特尔竞争。

**zHBM：堆叠式高带宽内存**

目前，广泛应用于AI的高带宽内存（HBM）采用2.5D配置，将AI处理器和HBM内存堆栈并排放置在中介层上。HBM通常垂直堆叠8、12或16个DRAM芯片，通过硅通孔（TSV）连接，采用1024位内存总线实现内存和处理器间的高带宽传输。

然而，运营AI数据中心的超大规模运营商需要更大的内存带宽来处理日益复杂的AI应用。三星的新型zHBM技术通过直接在AI加速器芯片上方垂直堆叠HBM来解决这一问题，最小化数据传输距离。zHBM初期在AI芯片上堆叠一至四个DRAM芯片，"zHBM旨在提供更高带宽和改进的功耗效率，以实现大规模AI训练和推理所需的超快数据处理"，三星方面表示。zHBM定位于2029年上市，采用下一代晶圆键合技术，预期性能是HBM5的约八倍，内存密度是HBM5的十倍以上。

**zNAND-O：高带宽闪存**

SK海力士和西部数据一直在开发高带宽闪存（HBF），通过在中介层上垂直堆叠NAND芯片来填补HBM和固态硬盘之间的内存空隙。三星的产品zNAND-O是基于3D NAND技术的下一代NAND架构。虽然在使用TSV和UCIe接口方面与HBF相似，但"基础应用方法存在差异"，三星官员解释道。"HBF的目的是覆盖一个新的内存语义分层，位于服务器应用中GPU等加速器的旁边，而zNAND-O则设计用于容纳大型模型，与设备端应用中的NPU交互。"

zNAND-O定位于2028年上市，分四层和八层版本，结合高空间效率、改进的I/O性能和低延迟特性，可支持边缘AI环境中实时密集型数据应用。

**V10 BV-NAND：采用晶圆键合技术的3D NAND**

三星的V10 BV-NAND代表了3D NAND（垂直堆叠单元的非易失性闪存）的新一代产品，三星于2013年首次推出3D NAND。采用晶圆键合技术堆叠内存单元，V10 BV-NAND具有400层以上，相比上一代V9产品内存密度提升约58%。该技术还改进了读取、写入和I/O性能，可支持未来AI系统的高性能、大容量存储需求。