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英伟达下一代R100 GPU采用TSMC 3nm工艺,配合CoWoS-L封装和新一代HBM4,计划2025年第四季度上市。

具体的芯片路线图和先进封装技术确保英伟达在Blackwell之后维持性能领导力。
行业媒体Slicast · 2024年5月9日 UTC 12:00 · 全球 · 来源: tweaktown.com
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NVIDIA下一代R系列和R100 AI GPU将在2025年第四季度进入量产,系统和机架解决方案将在2026年第一季度推出。根据业界人士郭明錤的信息,R100将采用台积电的N3工艺节点制造,并使用CoWoS-L封装。

R100 AI GPU采用4x光罩设计,而B100为3.3x光罩设计。该芯片将包含8个HBM4单元,而R100的中介层尺寸尚未最终确定,郭明錤指出目前有2-3个选项正在考虑中。NVIDIA配套的GR200 Grace CPU也将使用台积电N3工艺,这相比GH200和GB200 Grace CPU所用的N5工艺有所升级。

虽然B100目前采用台积电的N4P工艺节点,但R100代表着向更先进的N3技术的过渡。两代产品都将使用CoWoS-L封装,保持跨代封装方式的一致性。

郭明錤指出,NVIDIA已认识到AI服务器的功耗是影响客户采购和数据中心建设决策的重大挑战。因此,NVIDIA下一代R系列AI芯片和系统在设计上采用了双重重点:在提升AI计算能力的同时推进能效升级。

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