Micron：下一代 DRAM/NAND 于2027年H2进入量产。HBM4 12层增速较 HBM3E 快2倍；HBM4 累计营收超$1B。AI驱动的 HBM 供应紧张推动内存毛利率飙升。

美光公司于6月24日宣布，其下一代DRAM和NAND节点正在推进，预计于2027年下半年进入大规模生产，这表明该公司在先进内存节点方面取得进展，同时AI基础设施需求不断加强。该公司报告称，HBM4 12层产品的生产速度是其HBM3E 12层前代产品的两倍，表明对AI加速器所需的高带宽内存的制造能力正在加速提升。

这家内存制造商已累计实现超过10亿美元的HBM4收入，展示了市场对最新一代高带宽内存的强劲需求。这种生产势头反映了更广泛的市场格局：随着AI驱动的HBM需求继续超过供应，整个行业的内存利润率激增，GPU绑定计算基础设施的分配日益紧张。

2027年下半年下一代DRAM和NAND大规模生产的时间表强调了支持AI基础设施建设所需的内存容量扩展规划。随着HBM4推升加速、累计收入已超过10亿美元，美光公司已做好准备应对短期供应约束，同时为AI工作负载所需的持续基础设施扩展做准备下一代产能。