芯片与硬件 · 报道
美光预计HBM4E大规模生产于2027年下半年启动;HBM4 12层版本的产量爬升速度为HBM3E的2倍。
下一代内存生产时间表表明AI供应约束的多年延续;生产节奏加快。
行业媒体Slicast · 2026年6月24日 UTC 21:27 · 美国 · 来源: Seoul Economic Daily
重要度 88美光公司报告创纪录的季度收入,得益于对AI基础设施建设至关重要的高带宽内存组件需求的持续增长。该公司正以其HBM3E前代产品两倍的速度扩大HBM4 12层配置的生产,表明新一代内存技术的采用加速。
该公司预计HBM4E的批量生产将在2027年下半年开始,标志着GPU内存供应的下一个重大拐点。这个时间表表明,随着AI训练工作负载继续要求更高的内存带宽和容量,将形成从HBM4到HBM4E的过渡路径。
对于AI基础设施建设,美光公司的发展轨迹突显了内存供应约束的加剧,这些约束正通过渐进式升级(HBM4扩产)和计划中的代际改进(HBM4E)来解决。HBM4生产的积极提升表明了对近期需求的信心,而2027年HBM4E目标反映了业界对AI加速器持续演进和持续基础设施投资的预期。