首页 › 芯片与硬件 › 报道芯片与硬件 · 报道长鑫存储(CXMT)利用新G5 DRAM工艺实现每晶圆50%更高的芯片密度，提升了AI芯片HBM供应的良率与产能。推进中国本土HBM生产应对美国出口管制；关键支撑中国自研加速器（Zhenwu、DCU）；良率提升降低了HBM单位成本，加速本土AI芯片产能爬坡。行业媒体Slicast · 2026年9月22日 UTC 12:09 · 美国 · 来源: OC3D重要度 70阅读原文分享本文涉及的公司CXMT深度解读评论员长鑫存储 vs 三星 vs SK海力士：2026年9月存储芯片利润率之争评论员CXMT vs SK Hynix vs 三星：谁主导AI内存供应相关报道芯片与硬件中国CXMT启动G5 DRAM生产，并瞄准进入NAND闪存领域与三星竞争。2026-09-23芯片与硬件美光面临来自CXMT批量生产爬坡和长江存储进入DRAM市场的竞争压力，同时台湾劳动力动态增加了供应链的复杂性。2026-09-23芯片与硬件中国内存芯片制造商CXMT和长江存储(YMTC)跨越DRAM和NAND市场竞争加剧，长江存储进入DRAM领域，CXMT拓展NAND生产。2026-09-23芯片与硬件中国芯片制造商CXMT宣称其DRAM产品性能已与先进工艺节点相当。2026-09-23芯片与硬件长鑫存储技术(CXMT)实现单片产出提升50%，提高AI加速器的HBM和内存生产能力。2026-09-22