长鑫存储(CXMT)利用新G5 DRAM工艺实现每晶圆50%更高的芯片密度，提升了AI芯片HBM供应的良率与产能。

长鑫存储科技（CXMT）在宣布推出LPDDR6技术不到一个月后，其第五代"G5"DRAM平台取得了新的生产里程碑。该公司已开始大规模生产两款新型LPDDR5X产品，其DRAM密度显著提升。

G5平台实现了11.95nm的有效面积半间距，缩小了CXMT与三星、美光和SK海力士等行业领导者之间的差距。最引人注目的是，CXMT宣称该技术相比其上一代DRAM平台能够实现每片晶圆增加50%的芯片数量。

尽管芯片密度的提升幅度很大，但CXMT未披露硅片良率，因此无法确定该公司是否能够实现每片晶圆功能性DRAM产出提高50%。尽管如此，这一改进应该会提升CXMT的产量，并有助于缓解全球DRAM短缺。

该公司首款确认的G5产品是24Gb LPDDR5X存储芯片，已进入大规模生产阶段。有报道表明这些芯片已被集成到新款中国智能手机中。

这一进展表明CXMT制造能力的持续进步。提高的DRAM密度和晶圆生产效率将降低生产成本、提高盈利能力，同时增加全球DRAM供应。这些发展代表了CXMT朝着成为全球最大DRAM制造商之一这一目标迈出的重要一步。