中国芯片制造商CXMT宣称其DRAM产品性能已与先进工艺节点相当。

罗晓东，长鑫存储科技公司副总裁兼营销负责人，在合肥举办的世界制造大会上表示"我们的工艺能力现在与业界最先进的量产节点相当"。据路透社报道，中国最大的DRAM制造商宣布其第五代技术平台已进入量产。

该公司在其网站上详细说明了规格指标。有效面积的半间距为11.95纳米，存储电容纵横比为45:1，通过四次曝光光刻工艺实现了这些尺寸。按8吉比特基准测算，该平台每片晶圆的芯片产出数量比第四代至少增加50%。

两款产品已在该平台上运行。两者均为24吉比特LPDDR5X芯片，即用于智能手机和便携式电子设备的低功耗内存，数据容量分别比长鑫存储同代前置产品增加50%。产品分别采用496球和245球封装，分别面向高端和中端手机市场。

DRAM是手机或计算机用于运行各类程序的短期工作内存。据路透社报道，新平台旨在以更低成本、更低功耗提供性能更强的芯片。长鑫存储将其作为电子制造商的另一供应来源进行推销——这一商业主张带有明显的政治色彩。该公司直接针对目前在三家非中国供应商之间做出选择的买家。

长鑫存储称该平台为里程碑式突破，并表示将为全球内存产业提供"更具创新性、供应链更具韧性的解决方案"。在此背景下，韧性意味着一个超出美国管制范围的供应来源。

50%这一数据值得仔细审视。晶圆总芯片数指的是晶圆在测试中去除缺陷前可能产出的芯片数——这是理论上的最大值，而非实际良率。良率是内存制造商的利润所在，但长鑫存储对此未有任何公布。其相当性声明也未经验证；合肥之外没有任何人将这些芯片与三星、SK海力士或美光进行过对标测量。该公司利用计算机模拟和与中国设备制造商的联合开发完成了平台研制——这是对美国出口管制的规避方案，该管制自2022年以来限制了中国获取先进芯片制造技术。长鑫存储今年在上海科创板上市。

四次曝光光刻是这一规避方案的技术核心。与其用中国买不到的机器一次性打印精细图案，该工艺通过多次较粗步骤的重复实现足够精细的图案。这会降低产出效率并增加成本，但不需要出口许可证。

内存短缺整年来都在推高消费硬件价格。Roku将流媒体设备价格上调至多60%。AMD将Radeon GPU价格上调至少10%。这种压力波及手机契约，T-Mobile将融资周期延长至36个月。GoPro警告称可能难以为继，Insta360在六个月内花费2.98亿美元采购内存芯片。

中国DRAM已悄然进入西方产品。Corsair从5月开始在其DDR5套件中使用长鑫存储内存，基于第四代平台。这正是该公司目前声称与国际先进水平相当的一代。

长鑫存储发布前一天，宏碁CEO陈键铭告诉台湾《经济日报》，DDR4和DDR5供应并不特别紧张，CPU亦然，除了部分中端和入门级产品。他预计第四季度PC价格涨幅为5%至20%，平均售价将在2027年中期见顶，之后该年晚些时候可能下降。当被问及预测显示短缺将持续至2030年时，他指出了中国产能上线的情况："不可能说短缺会一直持续到2030年。"

不过，他对这种乐观态度有所保留。他表示元器件价格仍然高位，供需格局仍然有利于芯片供应商而非其客户。他的预测是见顶后才能缓解，而非立竿见影的救济。

这些言论需要附加两项说明。陈键铭经营的是PC制造商而非内存制造商，因此他描述的是自身购买的市场。其言论也通过中文翻译以英文形式传达给读者，使得《经济日报》的原文报道成为权威来源。

三个未知因素将决定局面。其一是良率：晶圆总芯片数是上限，长鑫存储未披露其接近程度。其二是价格；供应替代只有在价格低于竞争对手时才能缓解短缺。其三是采用规模。中国手机制造商有明显动力，Corsair已证明西方品牌在合适价格下会采购这些芯片。更大的问题是中国以外的政府是否会允许制造商大规模采用——这是过去十年来电信设备中中国芯片遵循的模式。长鑫存储为市场提供了第二个供应商和相当性声明。行业尚未对二者进行检验。