中国CXMT启动G5 DRAM生产，并瞄准进入NAND闪存领域与三星竞争。

中国长鑫存储技术有限公司(CXMT)已启动其第五代DRAM平台的商业化生产，对三星电子、SK海力士和美光科技的既有领导地位发起挑战。该公司同时在北京建立研究设施，探索进入NAND闪存市场。

CXMT的G5架构现已进入量产阶段，推出两款针对便携设备和智能手机的24Gb LPDDR5X组件。相比其之前基于8Gb等效标准的工艺，该新平台每条晶圆上的有效芯片数量至少增加50%——这是衡量单条晶圆在缺陷筛选前可提取潜在芯片数量的指标。

CXMT采用四重图案化技术，将存储阵列的活跃区半间距缩小至11.95纳米。这是一项特定于内部阵列布局的指标，与竞争对手的工艺节点定义不直接对应。

根据TrendForce数据，这次制造业务推进之前，CXMT已上升至全球DRAM市场第四位，第二季度收入占比达9.5%。市场领导者三星占据39.4%，其次是SK海力士的24.9%和美光科技的23.3%。

TechInsights副总裁兼存储分析师Choi Jung-dong在8月的行业研讨会上评估了竞争差距。Choi表示，"CXMT大约落后业界领先者两代"，并补充该公司"正在稳步推进其HBM产品路线图，朝着更高性能存储解决方案发展"。随着大型制造商将产能转向服务器存储和AI加速硬件，标准DRAM仍然供不应求，为中小型生产商创造了机会。

CXMT现正评估扩展至NAND闪存市场的可能性。NAND闪存在断电情况下仍能保持数据，广泛应用于存储驱动器和移动设备。三星在NAND市场中领先，第二季度收入占比为29.3%，其次是SK海力士集团的18.2%。国内竞争对手长江存储科技目前在中国NAND生产中居于领先地位。据路透社报道，CXMT的北京NAND研究设施仍处于早期阶段，关于商业化时间表和潜在客户的初步洽谈正在进行中。

一位行业人士强调了竞争格局的变化。该人士表示，"中国存储芯片制造商相比韩国对手仍存在明显的成本劣势，但供应紧张为他们赢得订单和扩大产能提供了更多机会"。"如果当前的上升周期持续下去，得到政府大力支持的中国和美国供应商所带来的竞争，将对韩国企业构成难以忽视的压力。"