长鑫存储技术(CXMT)实现单片产出提升50%，提高AI加速器的HBM和内存生产能力。

中国DRAM制造商长鑫存储科技公司（CXMT）已进入其下一代先进工艺的大规模生产阶段，显著提升了每片晶圆的芯片产量。伴随大规模工厂扩张，该公司正在缩小与三星电子和SK海力士的差距，通过推进生产工艺技术实现。

CXMT在9月20日于安徽省合肥举行的"2026世界制造大会"上宣布，已开发出第五代DRAM工艺，将核心存储单元结构间距缩小至11.95纳米（nm），并已启动大规模生产。仅从微缩程度来看，这已接近三星电子和SK海力士在2010年代后期大规模生产的DRAM技术水平。

由于受美国先进技术制裁，CXMT无法获得极紫外（EUV）光刻设备，但通过多次分割和刻蚀电路图案实现了微缩。结果是每片晶圆的芯片产量相比上一代增加了50%——尽管这一数据统计的是缺陷筛选前的总芯片数，并不表明实际良率或可用产品产出按比例增长。该公司正在用这一工艺大规模生产两种24千兆比特（Gb）的低功耗DRAM（LPDDR5X）产品。

CXMT扩张速度很快。其目前12英寸DRAM产能为30万片/月，业界预测到2028年将达到60万片/月。新工艺提升的单片晶圆产出与此相结合，分析人士预计CXMT的市场份额将加速增长。根据Counterpoint Research数据，CXMT在2026年第二季度的DRAM市场份额首次突破两位数，达到10%。

该公司也在拓展业务范围。它正在位于北京的新工厂建设NAND闪存研发和生产线，并与中国AI存储设备制造商协商供应协议。