首页 › 芯片与硬件 › 报道芯片与硬件 · 报道长鑫存储（CXMT）宣布从DRAM向NAND闪存扩展，目标实现供应链多样化。CXMT进入NAND市场加速中国内存自给，对美光、铠侠和三星的闪存供应造成更广泛的竞争压力。行业媒体Slicast · 2026年9月21日 UTC 12:01 · 美国 · 来源: EE Times重要度 62阅读原文分享本文涉及的公司CXMT深度解读评论员CXMT vs SK Hynix vs Samsung：AI存储供应、HBM定价权与技术差距评论员长鑫存储对比SK海力士与三星：G5 DRAM量产缩小差距，但HBM仍落后三年（2026年9月）相关报道芯片与硬件长鑫存储（CXMT）进入第五代DRAM的量产阶段，目标提供有竞争力的价格和供应稳定性。2026-09-22芯片与硬件长鑫存储技术(CXMT)实现单片产出提升50%，提高AI加速器的HBM和内存生产能力。2026-09-22芯片与硬件长鑫存储(CXMT)已启动G5 DRAM大规模生产，无需ASML被禁光刻设备2026-09-21芯片与硬件中国CXMT宣布G5 DRAM平台进入量产，采用四重图案化技术，不使用美国禁用的ASML设备。2026-09-21芯片与硬件长鑫存储(CXMT)利用新G5 DRAM工艺实现每晶圆50%更高的芯片密度，提升了AI芯片HBM供应的良率与产能。2026-09-23