长鑫存储(CXMT)已启动G5 DRAM大规模生产，无需ASML被禁光刻设备

长鑫存储科技(CXMT)周六宣布,其第五代DRAM技术平台已进入大规模生产阶段——这一里程碑使其工艺距离全球最先进的存储芯片制造厂的水平近在咫尺。

该公司在安徽举办的世界制造大会上宣布了这一消息,并介绍了一项创新的四重曝光光刻技术,将其存储阵列的有源区半节距缩小至11.95纳米——长鑫存储表示这"接近全球最先进的存储生产平台"。与上一代相比,该平台还将每片晶圆的芯片产出增加了50%以上,同时改进了密度、功耗和成本控制。长鑫存储还展示了基于该平台生产的大容量LPDDR5X芯片——这是智能手机和AI服务器以吨计消耗的存储芯片类型。

这一里程碑的影响超越了制造领域。全球DRAM价格持续上升,这一紧张局面始于三星、SK海力士和美光将产能转向AI服务器用高带宽存储,远离传统DRAM。短缺直接推高了消费价格——华为、小米和荣耀上月都因存储成本上升而提价,小米CEO在为其新款折叠屏手机定价时公开指责"昂贵的存储"。一家中国企业在尖端领域的入场改变了被三家公司统治数十年的市场竞争格局。该宣布反映了更广泛的产业推动,包括DeepSeek最近订购的价值25.6亿美元、数量为16万片的国产AI芯片。

选择这个会议地点并非巧合。世界制造大会刚刚举办了引起关注的高层制造业政策宣示——政府传达出工业技术是国家基础这一信息,现在有了具体的成果来支撑这一点。

中国媒体和社交平台纷纷报道了这一宣布。百度热搜将该发布列为"第五代技术平台大规模生产",而《财新》杂志则突出强调了存储密度、功耗和成本控制的改进。在微博上,一篇热门帖子直白地表述了这一成就:11.95纳米的半节距"已达到世界先进水平"。

商业利益重大。长鑫存储的母公司在7月登陆上海科创板,并迅速成为该交易所市值最大的上市公司。路透社6月报道了长鑫存储与腾讯达成的超20亿元人民币的服务器DRAM供应协议。该第五代平台的竞争和商业重要性相应巨大。

需要强调的是:宣布技术平台进入大规模生产与实现大量出货并达到良率是不同的里程碑,中国芯片公司过去曾在这条界限上含糊其辞。真正的检验将在市场上进行,在智能手机和服务器中,长鑫存储的LPDDR5X将与韩国和美国厂商在价格和良率方面展开直接竞争。