中国领先的内存制造商CXMT据报道正计划在北京附近的第二座制造厂内启动3D NAND研发项目和试产线。

一份最新报告显示，中国领先的DRAM制造商长鑫存储（CXMT）正寻求进入3D NAND内存市场。路透社援引三位熟悉该公司计划的人士消息称，CXMT打算在北京附近的第二座制造厂建设一条3D NAND研发生产线。虽然目前尚未提供实验性产线投入运营的具体时间表，但该项目可能至少还需要两到三年才能完成，尤其是因为北京第二座工厂的建设尚未开始。此外，一位消息人士指出，CXMT已在北京设立了一家研究所，其中NAND闪存开发被列为其活跃项目之一。由于该公司尚未正式确认任何3D NAND相关举措，因此这些进展应被视为初步阶段。

目前，关于CXMT拟议的3D NAND架构、活性层数量、工艺技术、预期性能指标或目标产能等细节均无公开信息。然而，报道称CXMT已与潜在客户就其NAND雄心进行了讨论。据报道，其中一家客户是一家新成立的企业，计划将CXMT制造的NAND器件整合到专为人工智能和超级计算应用设计的存储解决方案中。

CXMT的3D NAND项目最终能否推进至大规模生产仍不确定。如果实现，这一举措将标志着公司战略的重大转变，使其超越传统的DRAM专业化领域，直接进入与长江存储（YMTC）的竞争。直到最近，中国两大主导内存生产商一直保持着严格的分工，专注于各自领域——长江存储专注3D NAND，而长鑫存储专注DRAM——两者都在各自的领域取得了显著成功。然而，行业趋势表明，这两家公司现在正将自己定位为综合内存供应商，效仿全球领导者美光（Micron）、三星（Samsung）和海力士（SK hynix）的战略。据报道，长江存储也已开始探索DRAM生产。

尽管从业务多元化角度来看，CXMT据称向3D NAND扩张显得合乎逻辑，但目前缺乏明确的商业理由。作为中国领先的DRAM生产商，长鑫存储上半年实现了224.1亿美元的收入和115.7亿美元的净利润，在经历多年的持续亏损后强劲反弹。尽管业绩扭转，但与行业“三巨头”相比，该公司规模仍然较小，在其现有的成熟工艺技术和制造设施以及既有的客户群范围内仍有巨大的扩展空间。此外，人工智能热潮为CXMT集中资本和工程人才于先进DRAM和HBM3E提供了强有力的理由，这些产品比大宗商品化的3D NAND具有更高的战略价值。转向3D NAND还需要完全不同的制造工艺、专业知识和专用设备，因此从纯粹的企业角度来看，这种转型在经济上效率低下。

然而，从国家政策角度来看，这一策略与北京更广泛的半导体自给自足目标高度一致。将CXMT转变为国内第二家3D NAND供应商将显著增强中国供应链的韧性。CXMT最初由合肥市政府注资，在公司首次公开募股期间保留了37%的股权，并受益于中国国家集成电路产业投资基金（Big Fund）的支持。因此，中央和地方政府对CXMT的运营保持着重大影响，并可以据此指导其战略重点。CXMT能否成功实现这一技术飞跃并成为有竞争力的3D NAND制造商，仍是一个未解之谜。