根据韩国半导体工业协会，长江存储(YMTC)在NAND上落后西方1年；长鑫存储(CXMT)在DRAM上落后2年、HBM上落后3年。

根据韩国半导体产业协会的数据，中国内存芯片制造商与全球领导者的技术差距已经明显缩小。《朝鲜日报》报道了该协会的发现："韩国和中国在内存芯片方面的技术差距已经缩窄到HBM三年、DRAM两年和NAND闪存一年。"这代表了从之前约五年的滞后状态取得了实质性进展。

三星和SK海力士在2025年开始生产300层NAND闪存，而长江存储科技（YMTC）当时正在生产270层NAND。到2027年，长江存储科技将过渡到400层NAND，将差距缩窄到约一年。类似地，三星和SK海力士在2023年开始DRAM 5代生产，而长鑫存储科技（CXMT）仅在2025年开始生产DDR5模块，形成了两年的差距。值得注意的是，长鑫存储科技已经在大规模生产LPDDR5X，并已开始生产LPDDR6。

在HBM方面，长鑫存储科技目前落后约三年。虽然长鑫存储科技已经开始HBM3E模块的试产，但由于通过硅通孔（TSV）垂直连接存储堆栈的持续挑战，良率仍然较低，约为25%。长鑫存储科技正在采用长江存储科技的X-Stacking 3D NAND技术在其G4工艺上构建HBM3E堆栈，采用铜对铜混合键合而非传统的微凸块。这种方法缩短了堆叠DRAM层之间的电路路径，使两家公司都能够在没有极紫外（EUV）光刻设备的情况下制造具竞争力的HBM架构。

长鑫存储科技将在今年接收来自上海芯源和裕量生的国产深紫外（DUV）光刻设备，不过这些供应商仍然面临投影透镜和光源的瓶颈。长鑫存储科技正在通过三座300毫米DRAM晶圆厂积极扩大产能至每月30万片晶圆，每座晶圆厂产能约为每月10万片。该公司计划到2026年底增加约5万片每月的HBM专用产能。在上海和合肥建设中的两座额外晶圆厂将把总生产产能提高到每月60万片晶圆，使长鑫存储科技到2030年在产量上有望超越美光。

为了克服工艺微缩的限制，长鑫存储科技正在实施高k金属栅极（HKMG）技术，该技术用氧化铪（HfO₂）等材料替代硅基绝缘体。这种方法减少了电流泄漏和热浪费，同时提高了功率效率并能实现更快的晶体管开关。长鑫存储科技将HKMG应用于其G4 DRAM工艺（据信采用1z节点）和LPDDR5X产品，这表明该公司正在准备向1a节点推进，特别是在开发其下一代15纳米G5 DRAM工艺之际。

长江存储科技的生产产能预计到2027年初将达到每月30万片晶圆，其中部分产能将用于LPDDR生产。一旦长江存储科技的两座新晶圆厂在2027年上线，总产能到2028年将增长到每月45万至50万片晶圆，相比之下三星到2027年底的NAND产能预计为每月35万片晶圆。