首页 › 芯片与硬件 › 报道芯片与硬件 · 报道中国CXMT宣布G5 DRAM平台进入量产，采用四重图案化技术，不使用美国禁用的ASML设备。重大供应链转变：中国实现先进存储芯片规模化国产，挑战三星/美光垄断地位，削弱美国在芯片供应中的出口管制权。行业媒体Slicast · 2026年9月20日 UTC 13:50 · 美国 · 来源: easternherald.com重要度 90阅读原文分享本文涉及的公司CXMTASML资本开支历史 →深度解读评论员CXMT vs SK Hynix vs Samsung：AI存储供应、HBM定价权与技术差距评论员长鑫存储对比SK海力士与三星：G5 DRAM量产缩小差距，但HBM仍落后三年（2026年9月）相关报道芯片与硬件长鑫存储(CXMT)已启动G5 DRAM大规模生产，无需ASML被禁光刻设备2026-09-21芯片与硬件长鑫存储（CXMT）宣布从DRAM向NAND闪存扩展，目标实现供应链多样化。2026-09-22芯片与硬件长鑫存储（CXMT）进入第五代DRAM的量产阶段，目标提供有竞争力的价格和供应稳定性。2026-09-22芯片与硬件长鑫存储技术(CXMT)实现单片产出提升50%，提高AI加速器的HBM和内存生产能力。2026-09-22芯片与硬件中国领先的内存制造商CXMT据报道正计划在北京附近的第二座制造厂内启动3D NAND研发项目和试产线。2026-09-19