CXMT (ChangXin Memory)는 신규 G5 DRAM 공정 기술로 웨이퍼당 다이 밀도를 50% 향상시켜, AI 칩 HBM 공급의 수율과 용량을 개선한다.

LPDDR6 기술 발표 후 한 달도 채 되지 않아 ChangXin Memory Technologies (CXMT)는 5세대 "G5" DRAM 플랫폼으로 새로운 생산 이정표에 도달했다. 회사는 대폭 개선된 DRAM 밀도를 특징으로 하는 2개의 새로운 LPDDR5X 제품의 대량 생산을 시작했다.

G5 플랫폼은 활성 영역 반 피치 11.95nm를 달성하여 CXMT와 산업 리더 Samsung, Micron, SK Hynix 간의 격차를 좁혔다. 특히 주목할 점은 CXMT가 이 기술이 이전 세대 DRAM 플랫폼보다 웨이퍼당 50% 더 많은 다이를 가능하게 한다고 주장한다는 것이다.

다이 밀도 증가가 상당하지만 CXMT는 실리콘 수율을 공개하지 않았으며, 회사가 웨이퍼당 50% 더 높은 기능성 DRAM 출력을 달성할 수 있는지 여부는 불확실하다. 그럼에도 불구하고 이 개선은 CXMT의 생산량을 강화하고 세계 DRAM 부족을 해결하는 데 도움이 될 것이다.

회사의 첫 번째 확인된 G5 제품은 대량 생산에 진입한 24Gb LPDDR5X 메모리 칩이다. 보고서에 따르면 이 칩들은 이미 새로운 중국 스마트폰에 통합되고 있다.

이 발전은 CXMT의 제조 능력의 지속적인 진전을 보여준다. 개선된 DRAM 밀도와 웨이퍼 생산성은 생산 비용을 감소시키고 수익성을 향상시키면서 업계 전체 DRAM 공급을 증가시킬 것이다. 이러한 발전은 CXMT가 세계 최대 규모의 DRAM 제조업체 중 하나가 되려는 목표를 향한 중요한 발걸음이다.