美光扩展Hiroshima HBM生产设施以挑战SK海力士与三星产能主导地位。

美国内存半导体公司美光科技已在其日本广岛工厂启动下一代人工智能芯片生产设施的扩产。随着AI服务器对高带宽内存（HBM）需求的加速增长，美光正在加紧追赶由SK海力士和三星电子主导的HBM市场。

据《日经新闻》报道，美光在其位于广岛县东广岛市的工厂举行了新制造厂房的奠基仪式。总投资额为1.5万亿日元（约合14万亿韩元），日本经济产业省承诺提供最高5360亿日元的支持。

美光于2013年通过日本DRAM制造商尔必达存储器的破产程序收购了广岛工厂。该设施现已成为美光DRAM和HBM的关键生产基地之一。新厂房将专注于为AI计算生产下一代DRAM工艺，以及包括HBM4E在内的先进产品。

美光高级副总裁Manishi Bhatia表示："我们正在考虑生产最先进DRAM的1γ（伽玛）工艺。"下一代DRAM的1δ（德尔塔）工艺以及HBM4的继任者HBM4E也被列入生产目标。HBM4系列相比HBM3E具有更宽的数据通道，使AI芯片能够以更快的速度处理更多数据。

美光计划从2028年下半年开始向新厂房引入制造设备，并逐步扩大生产能力。该扩产支持美光在全球内存供应短缺形势下增加产出的战略。美光首席执行官Sanjay Mehrotra出席了奠基仪式，并强调："内存需求正在前所未有地增长。"

美光的扩产预计将加剧HBM市场的竞争。目前SK海力士领先，三星电子和美光紧随其后。随着美光为HBM4E后代产品线确保生产基础设施，三大内存巨头在2028年后下一代HBM市场的竞争预计将加速。

日本政府旨在重建其半导体供应链，对该项投资寄予厚望。虽然日本在半导体材料和设备方面保持竞争力，但已失去了在成品半导体制造领域的历史主导地位。因此政府正在投入大量支持，吸引台积电在熊本建厂，并支持Rapidus发展下一代2纳米工艺。随着美光对先进DRAM和HBM的投资，半导体供应链重建的明显进展已初现端倪。

日本经济产业大臣赤泽优志表示："由于生成式AI，内存需求正在扩大。对我们国家能够生产并对世界做出贡献具有重大意义。"广岛县也期望该投资能加强当地供应链，并创造1000多个就业机会。