Micron, 히로시마 HBM 생산 시설 확장으로 SK Hynix·Samsung의 용량 우위에 도전
미국 메모리 반도체 기업 마이크론 테크놀로지(Micron Technology)는 일본 히로시마 공장에서 차세대 인공지능(AI)용 메모리 생산 시설 확장에 착수했다. AI 서버용 하이밴드위스 메모리(HBM) 수요가 가속화됨에 따라 마이크론은 SK하이닉스와 삼성전자가 장악해 온 HBM 시장 진출을 강화하고 있다.
닛케이 신문에 따르면, 마이크론은 히로시마현 히가시히로시마시 소재 공장 내 신규 제조 건물 기공식을 진행했다. 총 투자 규모는 1조 5천억 엔(약 14조 원)이며, 일본 경제산업성은 최대 5,360억 엔의 지원을 약속했다.
마이크론은 2013년 일본 DRAM 제조사 엘피다 메모리의 파산 절차를 통해 히로시마 공장을 인수했으며, 이 시설은 현재 마이크론의 DRAM 및 HBM 핵심 생산 거점 중 하나다. 신규 제조 건물은 AI 컴퓨팅용 차세대 DRAM 공정과 HBM4E를 포함한 첨단 제품 생산에 집중할 예정이다.
마이크론의 수석 부사장 마니시 바티아(Manishi Bhatia)는 "가장 선진적인 DRAM인 1γ(감마) 공정 생산을 검토하고 있다"고 밝혔다. 차세대 DRAM인 1δ(델타) 공정과 HBM4의 후속 제품인 HBM4E도 생산 목표에 포함된다. HBM4 시리즈는 HBM3E보다 더 넓은 데이터 채널을 갖추고 있어 AI 반도체가 더 빠른 속도로 더 많은 데이터를 처리할 수 있게 한다.
마이크론은 2028년 하반기부터 신규 시설에 제조 장비를 도입하고 생산 능력을 단계적으로 확대할 계획이다. 이번 확장은 전 세계 메모리 공급 부족 상황 속에서 생산량을 늘리려는 마이크론의 전략을 뒷받침한다. 마이크론의 최고경영자(CEO) 산자이 메흐트로라(Sanjay Mehrotra)는 기공식에 참석해 "메모리 수요가 그 어느 때보다 급증하고 있다"고 강조했다.
마이크론의 확장은 현재 SK하이닉스가 선도하고 있으며 삼성전자와 마이크론이 추격 중인 HBM 시장의 경쟁을 더욱 치열하게 만들 것으로 예상된다. 마이크론이 HBM4E 이후 세대의 생산 인프라를 확보함에 따라, 2028년 이후 차세대 HBM 시장을 둔른 세 메모리 대기업 간 경쟁은 가속화될 전망이다.
반도체 공급망 재구축을 목표로 하는 일본 정부는 이번 투자에 높은 기대감을 보이고 있다. 일본은 반도체 소재 및 장비 분야에서 경쟁력을 유지하고 있지만, 완성품 반도체 제조 분야에서는 과거의 주도권을 상실했다. 이에 일본 정부는 구마모토현에 TSMC 공장을 유치하고 라피두스(Rapidus)의 차세대 2나노미터 공정 개발을 지원하기 위해 막대한 자원을 투입하고 있다. 마이크론의 첨단 DRAM 및 HBM 투자는 공급망 재구축에서 가시적인 진전을 가져올 것으로 기대된다.
일본 경제산업성 장관 아카자와 리요세이(Ryosei Akazawa)는 "생성형 AI로 인해 메모리 수요가 확대되고 있으며, 이를 국내에서 생산하여 세계에 기여한다는 점은 우리 국가에게 매우 의미가 크다"고 말했다. 히로시마현 역시 이번 투자가 지역 공급망을 강화하고 1,000개 이상의 일자리를 창출할 것으로 기대하고 있다.