SK海力士宣布640亿美元投资计划，采用无上限定价策略。

SK Hynix正在打破内存芯片行业的常规。这家韩国巨头采取了一种没有价格上限且合同期限可达5年的定价模式，这与行业常规大相径庭。此举表明了SK Hynix对AI驱动的高带宽内存（HBM）需求充满信心，它已经控制了该市场约62%的份额。这一策略支撑了其在忠清中部清州建造两座新工厂的644亿美元投资计划。

首席执行官Kwak Noh-jung阐述了这项资本计划的全部范围。其中大部分——80万亿韩元——将用于建设名为M17的NAND闪存芯片厂，建设将于2027年启动，预计2029年完成。剩余的20万亿韩元专项用于建设下一代封装厂P&T7，该厂应在明年年底前投入运营。该工厂将处理HBM所需的复杂堆叠工艺，HBM是为英伟达AI加速器供能的专用内存。这些项目是更广泛的国家半导体超级集群的一部分，该集群总价值达2.1千万亿韩元。

但新的定价政策才是真正的重头戏。通过取消长期客户的价格上限，SK Hynix可以充分捕获火爆的HBM芯片现货市场的收益。2026年第一季度已经创造了72%的营业利润率，而该年度的全部HBM产量已全部售出。6月与英伟达就其即将推出的Rubin平台的合作伙伴关系进一步巩固了公司的领先地位，分析师预计其在该市场的份额将达到70%。

投资者周五对此做出了积极回应，股价上涨10.88%，收于2,425,000韩元——尽管这一涨幅是在本周早些时候9%跌幅之后出现的。这种波动反映了对超长期前景的非凡憧憬与对AI支出浪潮可持续性的近期担忧之间的紧张关系。

不过，乐观的情景与业界公认的风险相伴而生。内存行业素来周期性极强，新投资的规模庞大，一旦AI基础设施建设放缓可能适得其反。Meta等云计算巨头资本支出的冷却将使该公司面临产能过剩的风险。

竞争对手并非坐以待毙。三星和美光正在向各自的HBM业务投入资金，一些市场观察人士预计2026年之后将出现明显的价格调整。技术挑战也隐约显现：HBM生产涉及多层内存的堆叠和微观层面的互联，这一过程容易产生良率损失。HBM4产量爬坡的任何延迟都会迅速改变前景。

法律背景又增加了一层不确定性。SK Hynix与三星和美光一起，面临美国集体诉讼的指控，涉及DDR3和DDR4内存的价格操纵。

所有目光现在都聚焦于该公司具有里程碑意义的纳斯达克上市，定于7月10日进行。该公司计划通过美国存托凭证融资294亿美元，这将成为历史上最大的科技IPO之一。订单簿将于7月6日开放，最终发行价将于7月9日确定。这个价格将成为对整个战略信心——或怀疑——的第一次真实投票。

该股年初至今的涨幅高达258%，已经反映了极高的预期。按当前水平，股价比50日移动平均线高出18.5%，14日相对强弱指数处于中性的51.6，已经扭转了前几周的超买状况。然而，距6月25日创造的52周高点2,987,000韩元仍有约19%的距离——这提醒人们，即使在最近一次反弹后，市场也并非完全确信。