长鑫存储（CXMT）推出新型DRAM技术，旨在提升芯片容量。

中国的存储产业在DRAM制造方面不断推进,这引发了一个问题:在无法获得最先进制造设备的情况下,工程师究竟能做到什么程度?CXMT表示,其最新平台能够提高存储密度,并提升晶圆产出效率。

最重要的进展是,CXMT称该平台已进入量产阶段。2026年9月20日,该公司在合肥举办的世界制造大会上发布了名为G5的第五代DRAM技术。这表明该开发成果已超出实验室演示的范畴。尽管仅凭这一发布本身,还无法判断工厂运行是否顺畅,但下一个问题是这些工厂在生产什么。

最受关注的技术指标描述的是存储阵列内部更紧密的间距。CXMT报告的有源区半节距为11.95nm。这只是更大设计中的一项指标。它显示了在结构紧密排布方面的进展,但并不能全面反映性能表现。比较不同厂商时,不能只把两个小数字并列放在一起就宣布胜负。

与产品最明确的联系来自两款新的移动存储芯片。两者的单颗裸片容量均为24Gb,CXMT称与同类previous产品相比容量提升了50%。这里的单位是吉比特(Gb),这并不意味着每颗裸片包含24GB。对器件设计者而言,单个元件容量的提升可以带来有用的封装选择,从而将制造工艺的改进与实际手机的设计决策联系起来。

CXMT还报告,以8Gb容量为基准进行归一化后,每片晶圆的毛裸片数量至少提升了50%。这一限定条件使比较更具意义,因为它排除了存储容量差异的影响。然而,毛裸片包括最终验收测试前的芯片,因此更多的潜在芯片意味着机会,但并不会自动保证可售产出以同等幅度增长。电容器方面的结果为这一成就增添了另一个维度。

该公司报告的深宽比为45:1,用以描述细长的存储结构。可以想象在整个阵列中一致地构建狭窄深孔所面临的挑战。这些结构的形态之所以重要,是因为缩小存储单元仍需保证可靠的电学特性。只有当这些结构协同工作时,密度才有意义。

综合这些细节,一个标题性的成果就转化为具体的制造故事:一个已报告的量产里程碑、一组具体的尺寸数据,以及可以明确指认的产品。

核心技术是自对准四重图形化(SAQP),CXMT在G5发布中对此进行了说明。这一系列技术并不依赖单次曝光来形成所需间距,而是通过沉积和刻蚀步骤来倍增图形特征。其精度来自于通过一系列受控步骤构建结构,这也使制造工艺本身成为关注焦点。

这一路线解释了为何现有光刻设备仍然具有价值。ASML公开介绍的DUV系统,即为支持较小制程节点的双重及多重图形化而设计。因此,设备本身的曝光分辨率并不能单独决定完整工艺所能实现的全部结构。工艺技术同样至关重要。