据报道，长鑫存储（CXMT）尽管良率偏低，仍将开始量产HBM3E，部分报道称其缺陷率最高达80%。

以下为该报道要点的中文概述(保留全部数字与机构名称):

中国最大的DRAM厂商长鑫存储(CXMT)将开始量产面向AI应用的高带宽内存产品HBM3E,尽管其良品率较低。路透社于当地时间10月28日报道。

据报道,长鑫存储已向中国AI芯片设计公司送样HBM3E,并将在两个月内开始小规模生产。据称其良品率在20%至30%之间,即只有这一比例的产出芯片达到质量标准。相比之下,SK海力士的良品率约为70%。

路透社称,长鑫存储此举表明中国AI内存短缺的严重程度。

良品率低通常意味着更多芯片需要报废或返工,从而推高生产成本。预计长鑫存储的HBM3E成本将高于竞争对手的产品。路透社上月报道,包括华为和寒武纪在内的中国AI芯片公司,因内存成本上升已将AI芯片价格提高20%至50%。

Counterpoint Research数据显示,第二季度SK海力士占全球HBM收入的50%,其次是三星电子(33%)和美光(18%)。同期长鑫存储以10%的DRAM收入份额位居全球第四。路透社指出,由于美国出口管制使长鑫存储难以获得先进半导体设备,其缩小差距并不容易。

(注:因原文版权限制,此处提供的是要点概述而非全文逐段译文。)