SK Hynix投资54万亿韩元（约$38B）在利川Y2无尘室和清州新建半导体生产设施，扩充HBM产能。

SK海力士董事会批准了总计54万亿韩元的资本投资，用以扩大半导体生产产能。公司将在龙仁半导体集群的Y2晶圆厂投资35.2万亿韩元，在清州的M17设施投资19.1万亿韩元，分别为DRAM和NAND生产工厂。这些投资最终确定了公司去年6月公布的中长期计划中所述的具体投资规模和建设时间表。

Y2设施将作为DRAM生产综合体，总建筑面积为341,000坪（约1.127百万平方米）。建设将于2027年7月开始，第一个洁净室计划于2029年6月投入运营。该设施将生产包括HBM（高带宽内存）在内的下一代DRAM，完整投资期限延至2031年10月。这包括生产设施、支持建筑、办公和福利设施、综合研发中心以及包括水处理和变电站在内的辅助基础设施。

SK海力士同时在建设Y1，这是集群首个晶圆厂，目标在2027年2月实现第一个洁净室的运营。龙仁集群位于龙仁市尝百郡元善面，占地约126万坪（约416.5万平方米），通过加快建设时间表而获益——所有四个计划中的晶圆厂目标在2033年完成，较原定2045年时间表大幅提前。

清州的M17设施将专注于NAND闪存生产，总建筑面积为206,000坪（约681,000平方米）。建设将于2027年2月开始，第一个洁净室计划于2028年12月投入运营，完整投资期限至2031年4月。SK海力士指出，清州现有的NAND生产设施（M11、M12、M15）加上已取得的土地和电力、供水基础设施，将能够实现高效的快速建设。

公司打算根据中长期需求预测来确保生产基础设施，同时根据实际内存需求分阶段推进洁净室扩展和设备安装，在产能增长和投资效率之间取得平衡。

市场研究公司Omdia预测，至2030年，DRAM和NAND需求将分别以19%和10%的年均增长率增长，受AI驱动的HBM需求和企业级SSD采用不断增长的推动。