SK Hynix 投入 $38B+ 扩张 HBM 产能：Yongin Y2 fab 与 Cheongju M17 fab

SK海力士董事会和交易市场之间的脱节从未如此明显。在同一天，这家内存芯片制造商的股票继续下滑，从6月峰值已经下跌超过50%，公司董事会批准了其企业历史上最大的资本承诺之一。

董事会批准了54.3万亿韩元——大约38亿美元——用于在永仁和清州建设两座新的芯片制造厂。永仁的Y2晶圆厂是一个113万平方米的设施，设计用于生产用于AI市场的DRAM和HBM芯片，将获得35.2万亿韩元的投资，施工将在2027年7月开始，第一个无尘室计划在2029年6月完成。清州的专注于NAND的M17工厂耗资19.1万亿韩元，2027年2月开工，无尘室预计在2028年12月完成。该计划总额（包括设备成本）据报道超过150万亿韩元——约为SK海力士120.7万亿韩元账面资本的45%。

这代表了对AI内存周期持久性的非凡信心，而此时市场发出相反的信号。周五，股票交易价格为1,422,000韩元，较6月25日的历史高点下跌52.39%，当天单日下跌4.88%。前一个周四情况更糟，股价下跌超过10%，此时综合股价指数下跌4.58%，因为美国技术股卖盘。三星电子下跌约6.3%，但周五反弹，因为投资者转向其更多样化的业务组合。

SK海力士7月29日报告的第二季度业绩显示，收入79.3万亿韩元，营业利润60.5万亿韩元——同比增长557%——净收入93.9万亿韩元，营业利润率76%。但市场预期更高：分析师共识预计营业利润约64万亿韩元，收入84万亿韩元。这一差距触发了当日9.6%的跌幅，股票自那以来一直表现不佳，目前交易价格约比50日移动平均线低30.14%。

国内零售投资者始终表现出兴趣，在截至周五的一周内净买入4.44万亿韩元的SK海力士股票，同时外国投资者转向韩华航空航天和赛尔群等防御性和生物科技股。

中心辩论已从盈利能力转向资本配置。SK海力士宣布了每股375韩元的季度股利，股权登记日为8月，并表示可能在第三季度宣布额外的股东回报，可能包括回购。投资者耐心受到监管机制的考验：公司完成了美国存托凭证发行，触发美国证券法下25天的沉默期，于8月4日期满。管理层在7月29日表示，在该流程完成前无法提供分配计划的详细信息。

路透社周四报道，SK海力士和三星电子到年底可能共同拥有263亿美元的净流动性——超过英伟达净现金头寸的两倍。随着AI利润激增，投资者在要求这两家公司返还更大份额。管理层必须平衡派息与芯片制造厂扩张的巨大资本需求，这也是三星和美光面临的挑战。

沉默期结束后启动的覆盖报告特别乐观。8月4日，Cantor Fitzgerald以Overweight评级和300美元/ADR的目标价启动覆盖，暗示大约100%的上升空间。Rosenblatt、美银、瑞银、Needham、Stifel、Wolfe Research和RBC Capital Markets也以买入等级评级启动，目标价为200至320美元/ADR。巴克莱的Simon Coles在7月29日将目标价从330美元下调至300美元，理由是预期平均销售价格较低，但保持Overweight立场。

内部人士似乎也持有这种信念。SK集团主席崔泰源在7月31日购买了48亿韩元的股票。

投资攻势也应对来自北京的日益激烈的竞争。中国内存制造商长鑫在第二季度将其全球DRAM份额扩大到7%，而SK海力士的份额下降到26%。长鑫正在准备上海IPO以资助其HBM开发，韩国产业部部长金正关警告说，国内芯片巨头的过度慷慨的利润分配可能会削弱该国对长鑫投资势头的竞争地位。

高盛辩称内存周期在结构上比以前的繁荣更强更长，支持其综合股价指数12个月目标12,000点。Omdia预计2030年前DRAM和NAND市场年均增长19%。

对于第三季度，SK海力士指导DRAM出货量环比增长约10%，NAND比特增长为个位数。年度资本支出应该达到40万亿韩元的高端。HBM4大规模生产在第二季度开始，完全爬坡目标为今年下半年；HBM4E样品已发货，系列生产目标为2027年。在圣克拉拉举行的闪存峰会上，该公司和SanDisk推出了高带宽闪存的初始标准规范，并展示了第十代4D NAND晶圆，具有375层，承诺与前代相比每瓦性能提高2.5倍。

董事会决定中嵌入的赌注很清楚：AI内存需求将超过当前市场的卖盘。无论股票下跌是调整还是重新定价，SK海力士的管理层已经明确了他们的答案——他们全力以赴。