SK Hynix 宣布投资 $38 billion 用于全面的 AI 芯片制造扩张

韩国存储芯片制造商 SK 海力士批准了 54 万亿韩元（380 亿美元）的投资，用于建设两座新的半导体制造工厂，这表明该公司对未来多年人工智能基础设施需求保持强劲充满信心。该公司将拨款 35.2 万亿韩元用于在龙仁建设其 Y2 DRAM 芯片厂，19.1 万亿韩元用于在清州园区建设 M17 NAND 闪存芯片厂。两座工厂预计将在 2028 年至 2029 年间开始投产。

这一扩张反映了 SK 海力士的评估，即存储芯片——而非处理器——是阻碍人工智能基础设施增长的最严峻的行业制约因素。该公司的决定是在创纪录的季度业绩基础上做出的，2026 年第二季度营收达到 79.3 万亿韩元，净利润 60.5 万亿韩元，主要由高带宽存储 (HBM) 芯片需求激增推动。SK 海力士目前控制全球 HBM 市场的 58%，领先三星和美光各占 21% 的市场份额。

存储芯片已成为人工智能开发中的关键瓶颈。复杂的加速器设备需要多个 HBM 堆栈与处理器相邻集成，采用台积电的 CoWoS 等先进封装技术。仅增加 GPU 产量而不相应增加 HBM 供应是不够的。根据 Omdia 的预测，到 2026 年，存储芯片将占全球半导体市场收入的 50% 以上；而 TrendForce 预测，尽管整个行业都在扩大产能，但受先进封装能力的限制，DRAM 和 HBM 供应将在 2027 年前保持紧张。

制造瓶颈已经开始改变整个行业的产品路线图。例如，英伟达正在重新考虑其下一代 Rubin Ultra 加速器的设计，由于担心 2027 年 DRAM 供应减少及其对 HBM 模块生产的潜在影响，计划从最初设计的 12-Hi HBM4e 配置改为 8-Hi HBM 和 HBM4 解决方案。

在运营层面上，Y2 DRAM 芯片厂将负责 HBM 和下一代 DRAM 生产，施工将于 2027 年 7 月开始，无尘室预计于 2029 年 6 月启用。M17 芯片厂将于 2027 年 2 月开工，其无尘室预计于 2028 年 12 月投入运营。这些项目是 SK 海力士更广泛扩张战略的核心内容，包括投入 600 万亿韩元用于龙仁半导体集群，100 万亿韩元用于清州扩张，同时进行相邻 Y1 芯片厂的在建项目。

鉴于新产能投入运营需要时间，市场分析师预计 HBM 在未来多年将保持短缺。HBM 是一种区别于标准 DRAM 的特殊产品，采用堆叠技术、硅通孔 (TSV) 和复杂的封装工艺，这使其生产极其困难。

SK 海力士管理层将此投资描述为实现持续转变的基础，而非应对短期需求，援引 Omdia 的预测数据——到 2030 年全球 DRAM 和 NAND 需求的年复合增长率将达到 19%。该公司认为，存储生产能力将在决定人工智能硬件在未来数年内如何快速扩展方面发挥关键作用。