TrendForce报道SK Hynix目标2029年龙仁Y2洁净室竣工，Samsung推进P5、P5 Fab 2产能里程碑。

在AI内存需求激增的背景下，SK海力士正加快产能扩张策略，在DRAM和NAND领域大举投资。公司董事会批准了总计约54.3万亿韩元的投资，其中35.2万亿韩元用于龙仁Y2晶圆厂，19.1万亿韩元用于清州M17晶圆厂。

龙仁Y2设施将成为龙仁半导体集群规划的四座晶圆厂中的第二座，紧跟在计划于2027年2月开始初期洁净室运营的Y1晶圆厂之后。Y2将作为专用DRAM生产中心，占地341,000坪——约113万平方米。建设将于2027年7月开始，第一洁净室预计在2029年6月完成。该投资还包括配套基础设施，如员工设施、综合研发中心、水处理系统、公用隧道、变电站和仓库等。值得注意的是，SK海力士的目标是在2033年前完成龙仁集群的全部四座晶圆厂，比原计划的2045年完成目标提前12年。

在NAND扩产方面，SK海力士选择清州作为新M17晶圆厂的所在地，并利用已正常运营的M11、M12和M15晶圆厂的现有制造基础设施。M17设施占地206,000坪——约680,000平方米。建设计划于2027年2月开始，第一洁净室预计于2028年12月完成，投资将持续到2031年4月。

与此同时，三星正在其平泽园区加速DRAM扩产。该公司于7月开始了平泽5号工厂（P5）的主体建设，外壳已完成，据报道比预计提前六个月。三星还在准备启动P5 Fab 2（原称6号工厂）的建设。通过并行推进两座设施的建设，三星旨在在平泽建立大型先进DRAM制造中心，联合产能预计将与三星四座现有晶圆厂（P1至P4）相当。

这种加速建设的做法标志着三星偏离原计划，原计划是在2028年至2029年期间按序建设P5和P5 Fab 2。该公司在政府要求下改为并行建设。三星还在努力将龙仁国家产业园区六座晶圆厂的完成时间表缩短七年，从2047年提前到2040年。