SK Hynix가 Yongin Y2 클린룸과 Cheongju의 신규 반도체 시설에 54조 원(~$38B)을 투자해 HBM 생산 용량을 확대한다.

SK하이닉스 이사회는 반도체 생산 능력 확대를 위해 총 54조 원의 자본 투자를 승인했다. 회사는 용인반도체클러스터 Y2 파브리에 35조 2천억 원을, 청주 M17 시설에 19조 1천억 원을 각각 투자할 계획이다. 이는 각각 DRAM과 NAND 생산 공장인 두 시설에 대한 것으로, 지난해 6월 발표한 중장기 계획에 명시된 구체적인 투자 규모와 건설 일정을 확정하는 것이다.

Y2 시설은 연면적 34만 1천 평(약 112만 7천㎡) 규모의 DRAM 생산 복합단지로 조성된다. 2027년 7월 착공하여 2029년 6월 첫 클린룸을 가동할 예정이며, HBM(High Bandwidth Memory)을 포함한 차세대 DRAM을 생산한다. 전체 투자 기간은 2031년 10월까지다. 여기에는 생산시설뿐만 아니라 지원 건물, 사내 복지 및 사무 시설, 통합 연구개발센터, 그리고 정수장과 변전소 등 부대 인프라가 포함된다.

SK하이닉스는 현재 클러스터 내 첫 번째 파브인 Y1도 동시에 건설 중이며, 2027년 2월 첫 클린룸 가동을 목표로 하고 있다. 용인시 기흥구 원성면에 위치한 약 126만 평(약 416만 5천㎡) 규모의 용인 클러스터는 완공 일정이 앞당겨져, 기존 2045년이었던 목표에서 2033년까지 계획된 4개 파브 모두를 완공하기로 했다.

청주 M17 시설은 연면적 20만 6천 평(약 68만 1천㎡) 규모로 NAND 플래시 메모리 생산에 집중할 예정이다. 2027년 2월 착공하여 2028년 12월 첫 클린룸을 오픈하며, 전체 투자 기간은 2031년 4월까지다. SK하이닉스는 기존 청주 NAND 생산 시설(M11, M12, M15)과 이미 확보된 전력 및 상수도 공급 기반 시설을 활용하면 효율적이고 신속한 건설이 가능하다고 밝혔다.

회사는 중장기 수요 전망에 기반해 생산 인프라를 확보하되, 실제 메모리 수요에 맞춰 클린룸 확장 및 장비 설치를 단계적으로 진행함으로써 설비 증설과 투자 효율성의 균형을 맞추겠다는 방침이다.

시장 조사 기관 오미디아(Omdia)는 AI에 따른 HBM 수요 증가와 기업용 SSD 도입 확대에 힘입어 2030년까지 DRAM과 NAND 수요가 각각 연평균 19%, 10%씩 성장할 것으로 전망했다.