甲骨文 (Oracle) 以 20% 溢价重新采购 4 年前的 GPU，表明高带宽存储级需求在主要云厂商中强劲扩张。

AI基础设施投资势不减弱。数据中心GPU供应已增加三倍，即使四年前部署的旧设备也以比原协议高出20%的价格重新签订合同。这种超额需求正在迅速改造HBM（高带宽内存）市场。需求曾集中在Nvidia等GPU制造商，如今正扩展至开发自有AI芯片的大科技公司，为三星电子和SK海力士创造了新的供应机遇。

Oracle在9月10日召开的财政2027年第一季度财报电话会议上宣布，所有即将到期续约的GPU容量均以高于原协议20%的价格重新签订或转售。其中绝大多数涉及四年前部署的旧GPU。同期，Oracle供应了850 MW容量——超过30万个GPU——环比产能增长三倍，利用率达到97.9%。

财报披露的剩余履约义务总计6640亿美元，同比增长2090亿美元。本季度新签署的AI云合同超过300亿美元，其中约一半预计在未来36个月内确认收入。Oracle还将财政2027年收入前景提高至900亿美元或更高。

旧GPU尽管供应大幅增加却仍能获得溢价，这充分反映了AI计算需求在最新一代和较早产品上的强度。业界观察人士认为这不是暂时现象，而是AI基础设施投资的结构性扩张。

**HBM客户多元化超越GPU制造商**

强劲的AI计算需求正直接转化为HBM市场的客户多元化。在Nvidia等传统GPU制造商之外，Meta、Microsoft、OpenAI等全球大科技公司已大规模进入ASIC（专用集成电路）开发。单芯片HBM容量也在快速增长。

据报道，Meta下一代MTIA 400将HBM3E容量从216 GB增加到288 GB。AMD的MI455X预计将采用HBM4，配置为12层432 GB，相比前代产品容量提升50%。单芯片内存容量增加直接推高每个客户的HBM需求。

HBM客户多元化为韩国半导体企业扩展客户基础提供了机遇。三星电子正接收来自开发自有AI芯片的下一代ASIC型超大规模企业的HBM供应合作请求。随着HBM4推进，定制HBM市场——客户可将自有设计逻辑集成到基础晶粒——正获得动力，对每个客户需求的定制化响应变得至关重要。三星正相应扩展HBM4生产能力。

作为当前HBM市场领导者，SK海力士也处于从客户多元化中获益的位置。随着更多定制AI芯片采用HBM且单芯片容量提升，客户基础从传统GPU制造商扩展至大科技企业，进而扩大每个客户的需求。SK海力士正超越标准产品供应，扩展能力以提供符合各企业AI架构的定制HBM解决方案。未来资产证券预计，HBM容量扩展及其在定制AI芯片中的应用增加将驱动进一步的客户多元化，强化SK海力士的市场地位。

**Micron追求三方竞争**

HBM竞争格局正在转变。Micron计划到年底将HBM生产能力提高至约每月10万片晶圆，几乎较去年的40,000-50,000片晶圆翻倍。随着AI半导体市场增长加速和HBM供应短缺持续，Micron力图通过产量与三星电子和SK海力士竞争。

Micron已在下一代HBM4中建立存在。今年3月，该公司开始为Nvidia的Vera Rubin平台大规模出货12层36 GB HBM4，并已向客户提供16层48 GB HBM4样品。业界预计Micron的HBM4 12层产品组合将从年初占HBM总产出的20%-30%提升至年底的约50%。

据Counterpoint Research，SK海力士在2026年第二季度保持全球HBM市场第一位，市场份额为50%。三星电子份额从第一季度的21%大幅增至第二季度的33%。排名第三的Micron份额从21%下降到18%。

与一年前相比，排名结构出现显著变化。SK海力士从64%下跌14个百分点至50%，三星电子从15%增加两倍多至33%。随着HBM4出货增长，三星预计将逐步提升份额。

然而HBM市场份额并非仅由生产能力决定。HBM涉及多个DRAM晶粒的垂直堆叠，良率、堆叠工艺、热效率及功耗效率和产品可靠性都至关重要。供应商还需通过Nvidia等关键客户的质量认证以增加出货量。即使获得充分生产能力，无法以一致质量可靠供应客户也难以获得市场份额。

业界估计三星电子和SK海力士的HBM生产能力各自约为每月150,000-200,000片晶圆。即便在每月10万片晶圆的产量，Micron与两大领导者仍存在巨大差距。一位半导体行业人士表示："HBM不是单纯增加生产能力就能直接转化为收入的市场。归根结底，重要的是你是否能以稳定的良率和质量可靠地供应客户所需的产品。"该人士补充："如果生产能力扩展伴随HBM4供应稳定化，涉及Micron与SK海力士、三星电子的三方竞争赛才可能真正开始。"

**封装基板市场随AI芯片扩展而增长**

随着AI半导体日趋强大和复杂，其封装基板也相应扩展。多个芯片——来自Nvidia和AMD的GPU、来自三星电子和SK海力士的HBM——需在单个封装内互联，使增加基板面积、层数和电路密度的技术变得越来越关键。

三星电机和LG Innotek在9月9-11日仁川KPCA Show 2026上展示了下一代基板技术。三星电机的主打产品是其2.1维（2.1D）封装基板。当前占主导的2.5维（2.5D）方案是在大型硅中介板上安装GPU和HBM。随着芯片尺寸增大，中介板必须相应扩展，推高成本。

2.5D封装的事实标准是台积电的CoWoS（晶片堆叠在晶圆之上的基板），它在硅中介板上并排放置GPU和HBM。包括Nvidia加速器在内的多数AI芯片都采用此工艺。台积电董事长魏哲家在公司2026年7月财报电话会议中表示，先进封装产能仍跟不上需求，欢迎其他厂商的替代封装技术。这说明了对无需大型中介板、可降低成本的2.1D级技术的日益关注。

三星电机正开发"桥接嵌入"——仅在基板内必要之处插入小硅桥——以及在基板上直接制造微细重分布层（RDL）的方法。桥接嵌入与英特尔EMIB技术相符。英特尔正推广其下一代EMIB-T，它在现有EMIB基础上加入硅通孔（TSV）。据报，Google计划在明年下半年的下一代AI加速器中采用EMIB-T。日本供应商包括Ibiden和新光电气[文本被截断]。