SK Hynix承诺投入54万亿韩元（约42亿美元）在利川和清州工厂扩大HBM制造。

SK海力士于8月7日宣布，其董事会批准了针对两个主要半导体生产设施的总投资54万亿韩元：其中用于龙仁半导体集群中Y2晶圆厂的35.2万亿韩元，以及用于清州M17设施的19.1万亿韩元。这笔投资遵循该公司6月宣布的中长期扩张计划，该计划包括湖南半导体集群。

Y2设施面积为341,000坪（约1127万平方米），计划于2027年7月开始建设。首个洁净室（一个具有极端防尘和污染控制的专业环境）计划于2029年6月投入运营，整个投资周期延伸至2031年10月。该设施将生产下一代DRAM和高带宽内存（HBM），建设预算涵盖生产建筑、研发整合中心以及包括水处理厂和变电站等辅助基础设施。

SK海力士目前正在建设龙仁的首个晶圆厂Y1，目标为2027年2月投入首个洁净室运营。该公司大幅加快了完成龙仁集群所有四个计划晶圆厂的时间表——将目标完成日期从2045年提前至2033年，加快了12年。

在清州，M17设施将作为NAND闪存生产工厂，占地206,000坪。建设于2027年2月开始，首个洁净室计划于2028年12月投入运营，投资周期于2031年4月结束。这一扩张利用了清州现有的NAND生产基础设施，包括M11、M12和M15设施，以及现有的电力和水资源。SK海力士计划通过分阶段扩展洁净室并根据市场存储需求逐步部署生产设备来优化投资效率。