Micron在台湾四个地点扩建，分别进行晶圆生产、HBM封装和测试。
10月1日，美光公司概述了在台湾扩展四个生产地点的计划，同时台湾DRAM制造商南亚科技宣布获批在屏东建设一个3D晶圆封装和测试工厂。根据中央通讯社对美光简报会的报道，截至2026年6月，该公司在台湾的累计投资已超过1.6万亿新台币，其中大约一半来自过去四年。面向AI的内存投资正在扩大，但每个生产地点处理不同的工艺流程。将电路制造的前端工艺与芯片堆叠和产品成型的后端工艺分开，可以揭示这次扩展实际上加强了供应链的哪个部分。
1.6万亿新台币的数字不是新决定的投资金额。根据中央通讯社，这是美光台湾公司董事长卢东辉引用的截至2026年6月的累计投资。他表示，过去四年的投资大致等于之前25年的总投资，这表明最近几年在台湾的投资急剧增加，但1.6万亿新台币不能被当作四地点扩展的预算。
在台湾，美光在桃园和通霄扩展晶圆制造，在台中进行HBM封装，在台南进行晶圆测试。根据经济日报的设施信息和美光的收购及财报公告，桃园正在建设Fab 11E，这是一个具有EUV能力的晶圆制造工厂，未来将具有高数值孔径EUV能力，预计在2028年左右开始运营。台中正在将现有设施改建为第二个先进封装工厂，HBM生产将在2026年10月中旬开始。台南正在改建友达光电的前LCD工厂，主要用于前端晶圆测试，设备搬入已于2026年9月初开始。通霄拥有从PSMC在2026年3月收购的P5工厂，加上一个额外的制造厂房，全面生产发货预计从2027年中旬开始。
台中的生产启动和通霄的全面产品发货不属于同一阶段。台南的设备搬入同样应该与测试能力实际支持发货的阶段区分开来。将四个地点的计划简单概括为"台湾更多产能"会掩盖这些不同工艺之间的时间差异。通霄的时间表不仅得到台湾简报会报道的确认，还得到美光最新官方声明的确认。在9月30日的财报材料中，该公司表示其计划从该地点在2027年中旬开始全面产品发货的计划保持在正轨上。收购一栋建筑本身并不能增加供应；安装设备和扩大生产需要时间才能实现发货。
美光在3月16日收购的通霄P5工厂包含约300,000平方英尺的现有无尘室空间，用于300毫米晶圆。美光的收购公告还说明了与附近台中地点垂直整合的计划。在通霄，该公司还计划建设第二个制造厂房，拥有约270,000平方英尺的无尘室空间。这个概念是吸收现有的制造设施，同时将台湾内部的工艺流程关联起来。然而，仅无尘室面积本身不能反映实际发货能力。安装哪些设备、生产哪些产品以及达到什么良率都会改变相同面积的地板能生产多少产能。美光已表示将与台中整合，但尚未披露产品将如何在四个地点间流动。
台中和台南正在进行设施改建。在台南的友达光电前工厂，一个11米高的仓库正被改建为三层无尘室结构，主要用于晶圆测试。曾用于制造LCD面板的建筑正被重生为内存测试设施。相比之下，桃园的新建筑是围绕未来制造设备进行设计的。经济日报报道称，Fab 11E将提供安装和维护EUV工具所需的地板承重能力和高度，并将设计成能适应未来的高数值孔径EUV，这是一种在EUV光刻中形成更精细电路的技术。然而，考虑未来工具进行建筑设计与实际安装设备和开始大规模生产是不同的阶段。
桃园和通霄的制造产能与台中的封装产能发挥着不同的作用。对于基于EUV的DRAM工艺技术1γ（1-伽玛），美光表示与1β代相比，每片晶圆的比特密度提高超过30%。这是一种增加每片晶圆内存容量的技术；这并不意味着来自台湾工厂的总发货量将增加超过30%。HBM是指DRAM芯片垂直堆叠并通过硅穿孔（TSV）逐层连接的内存。它需要既能缩小电路以提高每片晶圆容量的工艺，也需要堆叠多个芯片并在高速连接它们的工艺。仅关注晶圆制造厂房的扩展很容易忽视在台中添加的封装产能的作用。
10月1日，南亚科技宣布已获得台湾国家科学技术委员会批准，在屏东建立3D晶圆封装和测试工厂。该公司表示，该工厂将使用TSV和晶圆堆叠技术，为高性能、高带宽内存进行晶圆级封装和测试。截至南亚科技8月14日的说明，该公司仍在评估候选地点并继续与当局讨论。这一次地点被确定为屏东，获得了建立该工厂所需的批准。这将项目从权衡候选地点转向在特定地点进行。然而，批准并不意味着工厂已完成或已开始大规模生产。
当"AI"、"高带宽"和"TSV"一起出现时，很容易想象一个HBM大规模生产工厂。但南亚科技的公告没有提及具体的HBM代数。它也没有披露堆叠层数、带宽、大规模生产开始时间或投资金额。仅仅基于工厂使用的技术不足以得出它最终将大规模生产哪些产品的结论。
TSV不仅用于HBM。2026年5月，美光宣布了256GB DDR5服务器模块的采样，并解释说它在堆叠多个DRAM芯片的3DS结构中使用TSV。一个产品可以使用堆叠和TSV，但仍是DDR5，这是一个具体的例子，表明不能假设"它使用TSV，所以它是HBM"。从南亚科技的计划中目前可以确认的是，在屏东建立产能以堆叠DRAM并进行封装和测试的政策。具体的产品结论将不得不等待内存标准和产品规格的披露。