Micron的财务数据表明，HBM4内存的单位重量价值是标准DRAM的15倍，反映了其在AI加速器经济学中的关键作用。

高带宽存储器（HBM）堆叠DRAM可能会成为商业信息技术六十年历史中利润最高的产品。IBM在1970年代的大型机引擎占据了类似的地位，取决于成本和收入分配，但HBM堆叠DRAM封装技术在推动收入和利润方面可能超过System/370的单体系统技术和System/3081的热导模块封装。先进封装在历史上一直很有价值，在今天仍然同样关键。

HBM市场的增长以及美光科技、三星和SK海力士的收入增长速度远快于IBM大型机业务曾经的增长速度。这种增长支撑了英伟达和AMD的扩张。没有这些公司生产的高带宽堆叠DRAM，通用人工智能革命就不会发生。

美光科技截至9月3日的2026财年业绩展示了这一机遇的规模。季度收入环比增长4.8倍，达到542.3亿美元。营业收入增长近12倍，达到437.5亿美元，净收入增长12倍，达到377亿美元。美光将69.5%的收入转化为净利润，同时保持着有纪律的资本支出。

该公司持有734.5亿美元现金，同比增长7.6倍，但资本支出仅为107.7亿美元。存储制造商正在刻意控制晶圆厂建设。三家主要制造商都相信AI需求至少会持续到2028年，很可能延续到2030年，并决心避免历史上困扰存储业的繁荣与萧条循环。晶圆厂的建设无法通过并行加快——该过程从概念到生产是串行运行的。此外，随着存储价格和利润攀升，制造商倾向于以最低成本实现最大收入提取。

DRAM业务（包括AI服务器的低功耗LPDDR、服务器内存和消费者设备）增长4.4倍，达到397.7亿美元。闪存产品证明是增长最快的细分市场，销售额增长6.2倍，达到141亿美元。扩大产能仍是制约因素。NAND闪存晶圆厂的部署成本更低、速度更快，因此预计美光将积极扩建闪存产能，而在DRAM方面则更加谨慎，因为建立先进DRAM晶圆厂的技术难度和成本较高。

美光首席技术官Scott DeBoer表示，该公司在技术上领先中国长鑫存储技术有限公司（CXMT）两代。长鑫存储在7月登陆上海证券交易所，融资86亿美元。美光将努力保持这一优势，防止客户迁移到中国供应商，但长鑫存储的出现表明中国对国内存储供应和最终全球竞争的认真承诺。

由HBM主导的云存储业务部门规模小于核心数据中心部门，但增长迅速。在2026财年第四季度，云存储业务产生了162.8亿美元的销售额——同比增长3.6倍，环比增长18.3%——毛利率为83%（135.2亿美元），营业利润率为76%（123.8亿美元）。毛利同比增长5倍，净利润同比增长4.7倍，反映了非凡的定价能力。

根据首席财务官Mark Murphy的说法，第四季度DRAM比特出货量增长个位百分比，而价格涨幅达到两位数高端。闪存比特出货量同比增长10%，价格上涨30%。这些数据涵盖所有产品；HBM、LPDDR和高端服务器DRAM的价格涨幅和出货量增长远超这些平均水平。

核心数据中心业务同比增长11倍，达到刚好超过180亿美元，展示了DRAM和闪存对于AI训练集群、推理系统和代理AI执行环境的重要性。数据中心收入合计达到342.9亿美元，环比增长35.6%，营业收入达到276.8亿美元（占数据中心产品收入的81%）。

美光不再披露HBM细分市场的具体数据，但业界观察表明，HBM存储器在2026财年第四季度贡献了约143.3亿美元，同比增长7.6倍，而高容量服务器DRAM和LPDDR合计贡献80.5亿美元，同比增长6.1倍。剩余DRAM销售额估计为173.9亿美元，年同比增长3.1倍。

首席执行官Sanjay Mehrotra表示，美光已经"为我们2027年HBM比特供应的绝大多数达成协议，同比价格大幅上升，缩小与传统DRAM的毛利润差距。"HBM4的量产按计划进行，公司拥有"强劲的未来HBM产品路线图"，包括与英伟达合作，为下一代GPU和NVLink Fusion平台开发业界首款定制HBM4E实现（NVHBM）。

展望未来，存储器和闪存在2027年和2028年将面临比2026年更紧张的约束。美光预计DRAM比特出货量今年将以20多%的中高位增长，2027年和2028年放缓至20%左右，而随着供应链约束缓解，闪存产能部署将加速。