마이크론이 타이완의 네 개 사이트에서 웨이퍼 팹, HBM 패키징, 테스트 업무를 분할하며 운영을 확대하고 있습니다.

10월 1일, Micron은 Taiwan의 네 곳 사이트 확장 계획을 발표했으며, Taiwan의 DRAM 제조사인 Nanya Technology는 Pingtung에 3D 웨이퍼 패키징 및 테스트 공장 건설 승인을 발표했습니다. Central News Agency의 Micron 브리핑 보도에 따르면, 2026년 6월 기준 회사의 Taiwan 누적 투자액은 NT$1.6조를 초과했으며, 그 중 대략 절반이 지난 4년간 이루어졌습니다. AI 지향 메모리에 대한 투자가 확산되고 있지만, 각 사이트는 다른 공정을 담당합니다. 회로가 제조되는 전단계와 칩이 쌓여 최종 제품으로 완성되는 후단계를 구분하면, 이 확장이 공급 능력의 어느 부분을 실제로 강화하는지 알 수 있습니다.

NT$1.6조 규모는 새로 결정된 투자액이 아닙니다. CNA에 따르면, 이는 Micron Taiwan 회장인 Lu Dong-hui가 언급한 2026년 6월까지의 누적 투자액입니다. 지난 4년간의 투자가 이전 25년의 총합과 거의 같다고 그는 말했습니다. 이는 최근 몇 년간 Taiwan 투자가 급격히 증가했음을 보여주지만, NT$1.6조는 네 사이트 확장의 예산으로 해석될 수 없습니다.

Taiwan에서 Micron은 Taoyuan의 웨이퍼 제조, Tongluo의 웨이퍼 제조, Taichung의 HBM 패키징, Tainan의 웨이퍼 테스트를 확장하고 있습니다. Economic Daily News와 Micron의 인수 및 실적 발표 자료를 바탕으로 하면, Taoyuan에서는 EUV 가능 웨이퍼 제조 설비인 Fab 11E를 건설 중이며, 향후 High-NA EUV 능력을 갖추도록 설계되어 2028년 전후 운영 시작이 예상됩니다. Taichung은 기존 설비를 두 번째 고급 패키징 공장으로 전환하고 있으며, HBM 생산은 2026년 10월 중순부터 시작될 예정입니다. Tainan은 AUO의 폐지된 LCD 공장을 전환하여 주로 전단계 웨이퍼 테스트를 담당하며, 설비 반입은 2026년 9월 초부터 시작되었습니다. Tongluo는 2026년 3월에 PSMC에서 인수한 P5 공장에 추가 제조 건물을 더했으며, 2027년 중반부터 본격적인 제품 출하가 예상됩니다.

Taichung의 생산 시작과 Tongluo의 본격적인 제품 출하는 같은 단계를 의미하지 않습니다. Tainan에서의 설비 반입도 테스트 능력이 실제로 출하를 지원하기 시작하는 시점과 구분되어야 합니다. 네 사이트의 계획을 단순히 "Taiwan에서의 생산 증가"로 요약하면 공정 간 시간 차이를 간과하게 됩니다. Tongluo의 일정은 Taiwan 브리핑 보도뿐만 아니라 Micron의 최신 공식 발언으로도 확인됩니다. 9월 30일 실적 자료에서 회사는 2027년 중반부터 해당 사이트에서 본격적인 제품 출하를 시작할 계획이 일정대로 진행 중이라고 밝혔습니다. 건물을 인수하는 것만으로는 공급을 증가시키지 못합니다. 설비 설치와 양산 준비는 출하가 이루어지기 전에 시간이 필요합니다.

Tongluo의 P5 사이트는 Micron이 3월 16일에 인수한 것으로, 300mm 웨이퍼용 약 30만 평방피트의 기존 클린룸을 포함합니다. Micron의 인수 발표는 또한 인근 Taichung 사이트와의 수직 통합 계획을 명시합니다. Tongluo에서 회사는 약 27만 평방피트의 클린룸을 갖춘 두 번째 제조 건물을 계획하고 있습니다. 개념은 기존 제조 설비를 흡수하면서 Taiwan 내에서 공정을 연결하는 것입니다. 다만 클린룸 면적만으로는 실제 출하 능력을 알 수 없습니다. 어떤 설비를 설치하고, 어떤 제품을 생산하며, 어떤 수율을 달성하는지에 따라 같은 바닥 면적이 생산할 수 있는 공급량이 달라집니다. Micron은 Taichung과의 통합을 계획하고 있으나 네 사이트 간에 제품이 어떻게 이동할지는 공개하지 않았습니다.

Taichung과 Tainan에서는 설비 전환이 진행 중입니다. Tainan의 AUO 폐지 공장에서는 11미터 높이의 창고가 3단계 클린룸 구조로 개조되고 있으며, 주로 웨이퍼 테스트에 사용될 예정입니다. 한때 LCD 패널 제조에 사용되던 건물이 메모리 테스트 시설로 다시 태어나고 있습니다. 이와 대조적으로 Taoyuan의 새 건물은 향후 제조 설비를 염두에 두고 설계되고 있습니다. Economic Daily News는 Fab 11E가 EUV 도구를 설치하고 유지하는 데 필요한 바닥 하중 능력과 높이를 제공할 것이며, 향후 High-NA EUV를 수용할 수 있도록 설계될 것이라고 보도했습니다. High-NA EUV는 EUV 리소그래피에서 훨씬 더 미세한 회로를 형성하는 기술입니다. 다만 향후 도구를 염두에 두고 건물을 설계하는 것은 실제로 설비를 설치하고 대량 생산을 시작하는 단계와는 다릅니다.

Taoyuan과 Tongluo의 제조 능력은 Taichung의 패키징 능력과 다른 역할을 합니다. Micron의 EUV 기반 DRAM 공정 기술인 1γ(1-감마)의 경우, 1β 세대 대비 웨이퍼당 비트 밀도가 30% 이상 증가한다고 Micron은 말합니다. 이는 웨이퍼당 메모리 용량을 증가시키는 기술입니다. Taiwan 공장에서의 총 출하량이 30% 이상 증가한다는 의미는 아닙니다. HBM은 DRAM 칩을 수직으로 쌓고 through-silicon via(TSV)로 층간을 고속 연결한 메모리입니다. 웨이퍼당 용량을 높이기 위해 회로를 축소하는 공정과 여러 칩을 쌓아서 고속으로 연결하는 공정이 모두 필요합니다. 웨이퍼 제조 건물의 확장만 보면 Taichung에 추가되는 패키징 능력의 역할을 간과하기 쉽습니다.

10월 1일, Nanya Technology는 Taiwan의 National Science and Technology Council로부터 Pingtung에 3D 웨이퍼 패키징 및 테스트 공장 설립 승인을 받았다고 발표했습니다. TSV 및 웨이퍼 스택 기술을 사용하여, 공장은 고성능, 고대역폭 메모리에 대한 웨이퍼 레벨 패키징 및 테스트를 수행할 것이라고 회사는 밝혔습니다. Nanya의 8월 14일 설명 기준으로, 회사는 여전히 후보 부지를 검토하고 당국과 논의를 계속하고 있었습니다. 이번에는 위치가 Pingtung으로 명시되었고, 공장 설립에 필요한 승인을 획득했습니다. 이는 사업을 후보 부지 검토 단계에서 특정 위치에서의 진행 단계로 이동시킵니다. 다만 승인은 공장이 완성되었거나 대량 생산이 시작되었다는 의미는 아닙니다.

"AI", "고대역폭", "TSV"가 함께 나타나면, HBM 대량 생산 공장을 쉽게 상상할 수 있습니다. 하지만 Nanya의 발표는 특정 HBM 세대를 언급하지 않습니다. 또한 스택 레이어 수, 대역폭, 대량 생산 시작 또는 투자액을 공개하지 않습니다. 공장에서 사용될 기술만으로는 어떤 제품을 최종적으로 대량 생산할지 결론지을 수 없습니다.

TSV는 HBM에만 사용되지 않습니다. 2026년 5월, Micron은 256GB DDR5 서버 모듈의 샘플링을 발표했고, 여러 DRAM 칩을 쌓는 3DS 구조에서 TSV를 사용한다고 설명했습니다. 제품이 스태킹과 TSV를 사용하면서도 여전히 DDR5일 수 있다는 구체적인 예로, "TSV를 사용하므로 HBM"이라고 가정할 수 없음을 보여줍니다. Nanya의 계획으로부터 현재 시점에서 확인할 수 있는 것은 Pingtung에서 DRAM을 스택하고 패키징 및 테스트를 수행할 능력을 구축하려는 정책입니다. 구체적인 제품 결론은 메모리 표준 및 제품 사양이 공개될 때까지 기다려야 합니다.