英特尔加速俄亥俄州晶圆厂建设进度以扩大EMIB-T先进封装产能。

英特尔正在加快其位于美国俄亥俄州的大型芯片工厂的建设，以推进其先进芯片生产计划。为了加快完成进度，该公司已开始向员工提供慷慨的加班奖金。

该设施占地超过400公顷，将成为英特尔"埃格斯特伦"时代路线图的中心。该工厂旨在支持使用英特尔18A和14A工艺技术的大规模生产，英特尔的目标是到2031年实现下一代先进芯片的生产就绪。

与此同时，英特尔在其先进芯片封装技术EMIB-T（带通孔硅过孔的嵌入式多芯片互连桥接）方面取得重大进展。该公司报告称生产良率现已接近90%，使EMIB-T成为台积电CoWoS-L封装技术的有力竞争者。

EMIB-T在有机基板中使用直接构建在嵌入式硅桥中的垂直连接，实现三维芯粒堆叠，无需完整的硅中介层（一种成本高得多的器件）。英特尔表示，与台积电同等解决方案相比，这种方法可以降低约50%的成本。该公司计划通过扩展其新的俄亥俄州设施来利用这一成本优势。

英特尔预计将在2027年推出大规模EMIB-T封装服务，目标是为寻求在保持性能水平的同时降低成本的处理器和人工智能加速器制造商服务。

一个持久的挑战仍然存在：由Ibiden、Shinko、Unimicron和AT&S等合作伙伴供应的有机基板的制造良率仍在50%左右。尽管面临这一障碍，英特尔的供应商正在积极努力提高良率并满足预期需求。