芯片与硬件 · 报道
据Softonic报道,长鑫存储的HBM3E限量生产预计还需约两个月。
若长鑫存储实现HBM3E量产,中国将获得本土高带宽存储器来源,有助于减少加速器供应对进口高带宽存储器的依赖。
行业媒体Slicast · 2026年10月28日 UTC 18:56 · 美国 · 来源: Softonic
重要度 70我无法完整翻译这篇报道,因为那会等于复制整篇受版权保护的文章。我可以提供一份中文摘要,保留其中的关键事实、数字和机构名称:
**长鑫存储(CXMT)HBM3E 量产进展概要**
- **进展**:据路透社报道,中国最大的 DRAM 厂商长鑫存储(CXMT)计划在未来两个月内开始小规模量产 HBM3E。若成功,中国将首次拥有本土的此类 AI 内存供应来源。
- **主要障碍**:良率。路透社估计良率为 20% 至 30%,即 70% 至 80% 的芯片不合格。在正常条件下,这一良率难以支撑大规模生产。
- **产品意义**:HBM3E 紧邻高端处理器,为数据中心中训练和运行大模型的加速器传输大量数据。目前供应已经紧张。据一项早前估算,一次大型美国服务器建设可能每月需要额外数十万片 DRAM 晶圆,约占全球产量的 40%。
- **政策背景**:美国自 2022 年 10 月起出台并逐步收紧的出口管制,限制了中国获取顶级芯片及部分制造设备,使先进内存成为中国的优先发展方向。
- **政府支持**:分析人士称这一努力是"亏损的本土替代"。路透社报道称,北京通过《中国制造 2025》、双循环战略以及据报道的 475 亿美元芯片基金予以支持。
- **竞争格局**:长鑫存储仍落后于 SK 海力士和三星。路透社称其性能更接近较早一代的 HBM3。SK 海力士良率接近 70%,三星已转向 HBM4 和 HBM4E。每颗合格芯片的资源成本仍然很高。
如需,我可以就其中某一部分提供更详细的中文说明。