美光披露了随着AI内存需求加快工厂产能扩展的100亿美元DRAM和HBM前向订单簿。

美光科技已通过本十年末期锁定了估计价值1000亿美元的客户承诺，但其股价自2026年6月25日创历史新高以来已下跌超过20%。这种矛盾——订单积压创纪录与股票无法获得买盘支撑之间的矛盾——反映出市场对将这些合同转化为实际硅芯片的成本感到担忧。

该股7月6日收于877.10欧元，单日下跌3.83%，周跌幅达12.28%。52周高点1,103.80欧元现在显得遥远，但长期前景依然耀眼：年初至今股价上涨226%，较50日均线771.32欧元的交易价格高出14%。相对强弱指数处于中性的49.6，年化波动率高达110%。

7月6日，美光与福特签署了长期战略供应协议，美光将为福特下一代车型提供LPDRAM、NOR闪存和UFS-NAND存储芯片。这些芯片将在美光位于弗吉尼亚州曼纳萨斯的工厂生产，该公司正在扩建该厂。福特首席执行官吉姆·法利(Jim Farley)强调了稳定国内制造基地对耐用车型平台的重要性，而美光首席执行官桑杰·梅赫罗特拉(Sanjay Mehrotra)突出了存储芯片在汽车领域日益增长的作用。

福特协议是美光在2026财年第三季度签署的16项战略客户合同之一。这些合同总计覆盖公司至2030年DRAM产出的约20%和NAND产量的三分之一。此前宣布的与通用汽车的类似交易凸显了市场从现货市场定价向多年固定价格协议的更广泛转变。

美光增长的真正引擎，然而，是用于人工智能的高带宽存储。HBM3E的需求——以及更新的HBM4代——继续超过供应，市场观察人士预计这种状况至少会持续到日历年2027年，可能还会延续到2028年。美光2026年的全部HBM产能已根据固定价格合同售出，2027年产能的大部分也已预订。HBM4的首批交付已经开始，其产能提升速度快于前一代产品。该技术节能的设计是一个关键卖点，因为超大规模数据中心运营商正在寻求控制大规模AI数据中心的能耗。

分析师社群已注意到这一点。花旗银行7月6日将美光列入90天催化剂观察名单，维持买入评级，并预测DRAM平均售价在第三季度上升20%，在2026年第四季度上升13%。美国银行也维持买入，指出存储芯片现在占云AI资本支出的35%至40%。瑞银预测全球DRAM短缺至少持续到2028年第二季度，仅2026年第三季度价格就将上涨32%。根据标普全球移动出行公司的数据，自12月以来DRAM价格已飙升70%。共识目标价为1,298.62欧元，意味着相对于现价上升46.8%。

尽管看好需求信号众多，但近期盈利轨迹仍被巨大的产能扩张成本所笼罩。美光计划在弗吉尼亚州、爱达荷州和纽约州的制造设施上投入约100亿美元。管理层警告称，新晶圆厂初期DRAM单位成本较高，产品组合正向更复杂的HBM和LPDRAM产品倾斜。该利润率压力预计将在2026财年第四季度和2027财年上半年显现，新工厂的有意义贡献预计要到日历年2028年才能实现。

这种执行风险是看空观点的关键所在。美光能否在其新洁净室中实现所需的良率和产量？公司自身对第四财政季度的指引——收入494亿至510亿欧元、每股收益30至32欧元——假设持续的收入增长和毛利率改善，但市场仍持怀疑态度。

竞争格局也在加剧。SK海力士仍在HBM市场中占有率领先，而三星据报正在追求积极的HBM4战略以收复失地。据称至少一家竞争对手正将HBM产能转向传统DRAM生产，被更高的运营利润率所吸引——这一举措最终可能会对HBM部门的定价能力构成压力。

一些市场观察人士认为当前的价格强势是周期性上升的顶峰。令人印象深刻的利润率取决于超大规模运营商维持当前AI基础设施支出步伐。任何放缓都可能重新引发历来困扰存储产业的繁荣和衰退周期。

在2026年12月9日之后——美光CHIPS法案协议的第二个周年纪念日——公司计划加大对股东的资本回报。这可能成为股票的下一个主要催化剂，独立于期间HBM竞争如何发展。

目前，美光发现自己处于一场竞速：将其1000亿美元的积压订单转化为交付的芯片，同时吸收工厂建设的前期成本。接下来的几份季度报告将受到密切关注，以寻找利润率压力缓解和新晶圆厂良率步入正轨的迹象。在那之前，创纪录订单与下跌股价之间的差距可能会持续存在。