美光投入93亿美元扩大日本广岛HBM内存生产，对抗空头对AI内存需求的质疑。

美光科技公司宣布投资93亿美元，以扩大其在日本东广岛工厂的产能。在周六举行的奠基仪式上，该公司承诺投入1.5万亿日元，建设28,000平方米的新洁净室空间，专门用于高带宽存储器（HBM）制造——这是英伟达等处理器所需的专业堆叠芯片，用于处理AI工作负载。日本经济产业省将承担大约三分之一的成本，承诺提供高达500亿日元（32亿美元）的补贴，加上之前对该工厂的支持，使政府总支持额达到约50亿美元。

美光董事长兼首席执行官桑杰·梅赫罗特拉将此次扩张描述为公司现有运营的自然延续，并指出广岛工厂生产了其第一批HBM晶圆。"内存需求前所未有地增长，"梅赫罗特拉在仪式上表示，这呼应了推动美光过去一年股价增长七倍的投资论点。当被问及与日本的合作时，他表示："当美国的大胆遇到日本的工艺，就没有妥协。你得到的是世界一流的产品。"

这项投资是否充分仍然不确定。SK海力士在过去两年中占据了约一半的HBM市场份额，因为它率先行动，在美光和三星开发出具有竞争力的替代方案之前就与英伟达达成了合作关系。虽然美光缩小了差距，但与一个拥有既有客户关系和制造优势的现任者竞争，其挑战不同于简单地扩大整体产能。广岛工厂直到2028年夏季才会发运其第一批晶圆——这个时间表取决于AI内存需求在未来三年内保持基本稳定。值得注意的是，美光连续四个季度提高了自身的HBM需求预测，这使得该趋势在2028年之后的可持续性仍是悬而未决的问题。

竞争的时机令人瞩目。据《日经亚洲》报道，三星电子和SK海力士都在6月末宣布了在韩国的重大国内扩张计划，时间仅在美光宣布之前的几天。虽然三家公司都没有公开将其支出表述为对竞争对手的回应，但这个序列表明，首先在产能上退缩的公司可能会在2029年之前发现自己在向其他公司出租多余的晶圆厂产能。

对日本来说，这项补贴最终服务于更广泛的国家利益，而不仅仅是对美光的支持。广岛工厂的前任所有者尔必达存储器公司在2012年因DRAM价格下跌导致资本储备耗尽而破产。美光在次年收购了尔必达的资产。日本的半导体补贴计划自那时以来就已建立，反映了一项明确的政策赌注：对于没有国内存储器龙头企业的国家来说，最好是通过补贴外国产能，而不是让该产业从日本消失。扩建的洁净室将在一个将其经济身份的一部分建立在防止重复崩溃基础上的都道府县创造超过1,000个工作机会。

HBM短缺所带来的影响已经波及半导体产业之外。苹果本月提高了MacBook和iPad的价格，理由是DRAM成本在2026年单独跳升了98%——业界分析人士直接将这一涨幅归因于美光等存储器制造商将DRAM和NAND产能重定向到利润更高的HBM部分。广岛扩张的设计目的是通过增加新的洁净室产能而不是转换现有产线来减少这种零和博弈，理论上在HBM产量增长的同时缓解消费级内存的压力。美光一旦工厂投入运营后是否能维持这种平衡——或者是否会转而追逐利润最高的产品——仍有待观察。

美光已经为广岛工厂找到了过渡性用途。Ondo Finance最近将美光股票列为根据美国证券交易委员会新的托管框架首次代币化的股票之一，这说明了融资这家制造工厂的同一场AI驱动的股价飙升是如何同时被重新包装成与在广岛县浇筑的混凝土相去甚远的金融工具的。美光和经济产业省都没有说明如果内存周期在2028年之前转变会发生什么（就如同尔必达所经历的那样）。这个问题——而非周六的奠基仪式——将在未来三年内真正决定其结果。