SK海力士强化其对AI芯片关键的高带宽内存(HBM)的掌控，同时英特尔存储公司Solidigm准备进行1500亿美元的IPO。

在SK海力士向下一份财报迈进之际，三个主题正在汇聚：HBM订单簿日益由少数美国科技巨头主导，其美国NAND子公司可能的重磅上市，以及在韩国国内对成本和劳动力采取强硬立场的管理层。

关于SK海力士营业利润的预期在季度报告发布前已被上调。未来资产分析师朴妍珠指出，全球对AI应用的采用速度超预期，而全球半导体供应继续滞后于需求。不过即将发布的数据仍将引起密切关注——在今年股价表现强劲之后，韩国存储器制造商面临异常高的市场预期。来自暂时走强的韩元的汇兑效应也促使收入预测做出了适度调整，尽管这并未阻碍该行业的整体上升轨迹。

加速卡用高带宽内存仍然是中心增长引擎。根据摩根士丹利研究的估计，英伟达、Alphabet和AMD三家公司将在2027年合计占全球HBM生产能力的约85%，仅留下全球市场的一小部分给所有其他买家。生产这些存储器代需要消耗大量的洁净室产能：HBM的单个比特需要约为标准DRAM晶圆产能的三倍，这一倍数在未来几代中攀升至四倍。SK海力士在2026年第二季度启动HBM4的量产和出货，最近数月一直在与约10个核心客户谈判长期供应协议以缓解供应紧张。

为跟上需求，该公司正推进数十亿美元的投资计划。8月，SK海力士批准了在龙仁建设第二个DRAM晶圆厂的35.2万亿韩元支出和在清州进行NAND生产的19.1万亿韩元支出——这些项目旨在到本十年末大幅扩大其国内制造基地。在北美，管理层正在权衡进一步举措。已有超过40亿美元被预留用于在印第安纳州建设先进封装厂，计划从2029年下半年开始处理从韩国运来的DRAM晶圆。路透社报道称，SK海力士还在评估在美国本土进行晶圆制造的选项，包括在英特尔位于俄亥俄州的基地租赁洁净室空间或形成合资企业。高昂的美国建筑成本和政府激励措施的实际规模在做出最终决定前仍存疑问。

这种扩张的资金可能来自更大的来源。据路透社报道，SK海力士正考虑对其美国子公司Solidigm进行数十亿美元的首次公开募股，该公司专业从事NAND闪存业务。与投资银行的初步谈判已于上周五进行，但该公司尚未正式确认任何上市计划。发行可能最早在2027年进行，讨论集中在1500亿美元的估值和约150亿美元的融资规模上。这样的交易将为SK海力士释放大量资源，强化其在竞争激烈的存储器市场中进行未来科技项目投资的财务基础。

美国生产地点的考量与融资因素并行引起关注。SK海力士表示尚未确认任何具体项目。约两周前，SK海力士与英特尔就可能在美国进行存储器制造的初步讨论被披露，涵盖包括租赁位于俄亥俄州的英特尔计划晶圆厂的部分设施或与云提供商成立合资企业等选项——均在无最终协议的情况下进行。任何这类举措都需接受国内监管部门的审查：韩国贸易、工业和能源部明确指出，涉及国家核心技术的美国制造计划需根据《防止技术泄露和保护工业技术法案》进行审查。

在本土，管理层对成本的把控力度很大。9月14日，SK海力士和三星电子联合拒绝了公用事业公司KEPCO要求提前支付25万亿韩元（约187亿美元）以供电给计划中的半导体工业园区的要求。两家公司都以对长期半导体需求的不确定性为由，强调了领先存储器厂商对大规模基础设施投资的谨慎态度，以及他们对大额预付款的顾虑。同时，经过数周谈判，相关运营问题已趋于明朗：9月中旬，韩国工会批准了与管理层达成的工资协议，将绩效奖金中的现金比例从40%提高到50%，相应减少了股票支付的比例。