SK海力士和英特尔正在讨论在英特尔俄亥俄州晶圆厂进行内存芯片制造。

2026年9月16日，据报道SK海力士和英特尔正在探讨一项美国内存芯片制造安排，以英特尔正在建设的俄亥俄州One项目作为可能的地点。讨论可能涉及SK海力士租赁该设施的一部分，或与英特尔和主要AI超大规模公司组建合资企业。SK海力士表示尚未做出决定，而英特尔则将该报道称为推测，并指出其继续在俄亥俄州的投资。

**俄亥俄州One项目将谈判什么？**

所报道的提议涉及一项可能的制造安排，而不是确认购买英特尔的俄亥俄州设施。一种选择是SK海力士租赁俄亥俄州One的一部分；另一种选择是创建一个涉及SK海力士、英特尔和主要AI云公司的合资企业。尚未确认交易结构、投资金额或参与的超大规模公司。

英特尔正在开发俄亥俄州One，作为其美国制造扩张的一部分，并为Intel Foundry寻求外部客户。与SK海力士的关系可以为英特尔提供主要的外部客户，同时为SK海力士提供另一个潜在的美国生产基地。

SK海力士表示正在审查措施，包括增加生产基地以加强其内存业务，但补充说没有确定任何事项。该公司的方向与其2026年6月计划在随后五年内将产能翻倍的计划一致。7月，SK集团主席Chey Tae-won也表示，SK需要在美国建立工厂，如果可能的话。

**HBM是背景，而不是确认的俄亥俄州产出**

高带宽内存（HBM）是用于AI芯片供应链的内存技术。它帮助处理器处理大量数据，使其对AI加速器具有战略重要性。SK海力士是领先的HBM供应商，来自AI和数据中心的需求正在推动其扩张计划。

俄亥俄州的讨论涉及美国内存芯片制造，但所报道的安排并未指定俄亥俄州将生产HBM。HBM解释了为什么美国制造关系对SK海力士很重要，而不是俄亥俄州One最终将生产什么。

英特尔表示继续在俄亥俄州投资，同时将所报道的安排称为推测。该项目的报道时间表是2030–2031，但该时间表与英特尔的俄亥俄州项目相关，而不是确认的SK海力士生产时间表。

**俄亥俄州和印第安纳州是独立的美国项目**

可能的俄亥俄州安排与SK海力士自己的印第安纳州设施分开。印第安纳州与HBM高级封装和未来的美国HBM基地相关，而俄亥俄州可能涉及通过租赁、合资企业或其他结构涉及英特尔的地点。

SK海力士在2026年8月奠基了印第安纳州设施，该设施的生产目标为2029年前景。该项目并未确定什么技术、所有权结构或生产时间表将适用于俄亥俄州One。

**该提议为什么对SK海力士和英特尔很重要**

对于SK海力士而言，美国制造基地将支持其更广泛的产能扩张，因为AI加速器和数据中心推动了对高级内存的需求。对于英特尔而言，潜在的关系将符合其吸引主要外部客户到Intel Foundry并部署其美国制造基础设施的努力。

该提议也存在于关于半导体生产的更广泛政策辩论中。报道中引用的三个消息来源称，韩国政府可能反对涉及HBM等敏感高级内存的美国生产。韩国政府尚未宣布对该提议的正式反对或决定。

因此，近期的发展是围绕美国内存制造的一系列探索性讨论，以俄亥俄州One作为可能的地点，印第安纳州作为SK海力士的独立扩张。两家公司都未宣布完成的安排。