SK Hynix推进美国上市，标志这家主要内存供应商进入美国股权资本市场。

2026年6月，韩国存储芯片巨头SK海力士正在加速进入华尔街。这家高带宽存储器(HBM)领域的无可争议的领导者计划通过美国存托凭证(ADR)在纳斯达克上市，股票代码为"SKHY"，这是最近外国公司在美国最大规模的上市之一。

SK海力士成立于1983年，初名为现代电子工业公司(Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.)，2001年从现代集团分离出来，更名为海力士半导体公司，2012年被SK集团收购。公司总部位于韩国益川市，由首席执行官郭恩正领导，专门从事包括DRAM、NAND闪存和MCP在内的存储器半导体业务。2002年公司曾面临债务危机，险些被美光科技收购，2023年由于全球存储芯片价格下跌，公司录得7.73万亿韩元的营业亏损。如今，它是全球领先的AI存储供应商。

与跨越消费电子、逻辑芯片和存储芯片多个领域的三星电子不同，SK海力士专注于存储器半导体业务，这使其能够更好地抓住AI驱动的HBM需求。该公司在AI热潮来临之前就开创了HBM技术，通过HBM2E等产品建立了业界领先地位。如今，它为英伟达和谷歌等客户供应AI芯片的存储产品，与英伟达的合作关系已从零部件采购升级为深度战略整合。

SK海力士在2026年3月向美国证券交易委员会秘密提交了注册声明。6月24日，公司宣布计划发行价值高达45.45万亿韩元(约29.4亿美元)的存托凭证，由美国银行、花旗银行、高盛和摩根大通担任主承销商。交易定于7月10日在纳斯达克开始，每个ADR定价为255,500韩元。募集资金将用于龙仁半导体产业集群晶圆厂第1阶段、清州P&T7先进封装厂的建设，以及包括EUV光刻机在内的设备投资。

SK集团董事长崔泰源表示，在美国上市将扩大股东基础，超越韩国范围，并增加对美国和国际投资者的敞口。首席执行官郭恩正在股东大会上表示，公司希望在美国市场上与全球主要科技公司一起获得重新评估其价值的机会。

自2026年初以来，SK海力士股价涨幅超过300%，过去一年涨幅超过800%。在6月22日的日内交易中，该股曾短暂上升超过6%至295万韩元，市值超过2,082万亿韩元，短暂超越三星电子成为韩国最具价值的上市公司——这是自2000年11月以来三星电子首次失去这一地位。

2026年第一季度，SK海力士报告收入为52.58万亿韩元，同比增长198%，营业利润为37.61万亿韩元，同比增长405%。这代表72%的营业利润率，超过同期英伟达的65%。市场共识预期第二季度营业利润在62万亿至65万亿韩元之间，一些经纪公司将预测上调至68万亿韩元以上。

2025年，SK海力士收入达到97.15万亿韩元，同比增长47%，营业利润增长101%至47.21万亿韩元——首次超过三星电子的年度营业利润。HBM销售同比增长超过一倍，占总收入的42%。

SK海力士在HBM市场中的主导地位毋庸置疑。根据Counterpoint Research在6月25日发布的数据，SK海力士在2026年第一季度全球HBM市场中按收入计占58%，而三星电子和美光各占21%。该公司供应英伟达超过60%的HBM，并已获得英伟达Vera Rubin平台HBM订单的三分之二以上，在HBM4中的预期市场份额超过50%。

三星电子正在积极追赶，已于2月开始批量生产HBM4以供应英伟达。6月5日，英伟达首席执行官黄仁勋确认，SK海力士、三星电子和美光都已通过认证，并开始为英伟达下一代Vera Rubin平台生产HBM4。随着AI芯片功耗接近1,000瓦，堆叠层数不断增加，热管理已成为HBM技术竞争的焦点，三家制造商推出了包括iHBM、HPB和TSV液冷在内的差异化冷却方案。

美国投资者很快将能够直接通过纳斯达克购买SK海力士ADR。这些ADR预计将被纳入费城半导体指数(SOX)，吸引来自被动基金的资产配置。或者，投资者可以通过目前持有该公司头寸的美国半导体ETF间接接触SK海力士。

Roundhill Memory ETF(DRAM)于2026年4月2日推出，是市场首只"纯存储ETF"，其收入50%以上来自HBM相关业务。其持仓包括美国投资者难以直接购买的存储芯片公司，如SK海力士、三星电子和铠侠。

富兰克林FTSE南韩ETF(FLKR)追踪FTSE南韩指数，持仓高度集中在韩国大盘股。SK海力士是最大的持仓，占31.33%，SK海力士和三星电子合计占比超过51%。

iShares MSCI南韩ETF(EWY)是美国市场最大的南韩ETF，SK海力士是其第一大持仓，占近30%，三星电子占比超过20%。两者合计占基金总资产的约48%。自2026年以来，该ETF涨幅超过90%。