据TradingKey报道，SK海力士即将在美国上市。

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**SK Hynix 赴美上市及投资渠道概要**

SK Hynix(SK海力士)是全球高带宽内存(HBM)市场的领导者,计划以美国存托凭证(ADR)形式在纳斯达克上市,股票代码为"SKHY"。这可能是近年来规模最大的外国公司美国上市案例之一。

**公司背景**:公司前身为成立于1983年的现代电子产业株式会社,2012年被SK集团收购并更名为SK海力士,总部位于韩国利川,现任CEO为郭鲁正。主营DRAM、NAND闪存和MCP等存储半导体。公司曾于2002年因债务危机陷入困境,并计划出售给美光科技(MU),但交易未成。2023年录得约7.73万亿韩元的营业亏损,两年后已成为全球领先的AI存储供应商。其客户包括英伟达(NVDA)和谷歌(GOOGL)。

**上市进展**:2026年3月向美国证券交易委员会(SEC)保密提交了ADR首次公开发行的注册声明。6月24日,公司宣布拟发行价值最高45.45万亿韩元(约294亿美元)的存托凭证,承销商为美国银行、花旗(C)、高盛(GS)和摩根大通(JPM)。预计7月10日开始在纳斯达克交易,每份ADR定价255,500韩元,最终募资额可能根据簿记建档结果调整。募集资金将用于龙仁半导体集群一期晶圆厂、清州P&T7先进封装厂建设以及包括EUV光刻机在内的设备投资。

**业绩与股价**:2026年初至今股价累计涨幅超过300%,过去一年涨幅超过800%。2026年第一季度营收52.58万亿韩元,同比增长198%;营业利润37.61万亿韩元,同比增长405%;营业利润率72%。2025年全年营收97.15万亿韩元,营业利润47.21万亿韩元,首次超过三星电子。

**市场格局**:据Counterpoint Research数据,2026年第一季度SK海力士在全球HBM市场占有率为58%,三星电子与美光各占21%。6月5日,英伟达CEO黄仁勋确认三家企业均已通过HBM4认证并开始为下一代Vera Rubin平台供货。

**投资渠道**:

1. **直接购买ADR**(即将推出):上市后美国投资者可通过美国券商以美元交易,预计将被纳入费城半导体指数(SOX)。

2. **韩国市场购买**(股票代码000660.KS):需开通韩股交易权限或使用海外代购服务,相对复杂。

3. **购买美国半导体ETF间接持有**:包括Roundhill Memory ETF(DRAM,2026年4月2日推出)、Franklin FTSE South Korea ETF(FLKR,SK海力士占比31.33%)以及iShares MSCI South Korea ETF(EWY,SK海力士占比近30%,2026年以来涨幅超过90%)。

4. **台湾上市ETN**:原文此处在句中中断,后续内容未提供。